Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| Semiconductor laser | |
| 其他题名 | Semiconductor laser |
| ISHIKAWA MAKOTO | |
| 1990-07-16 | |
| 专利权人 | NEC CORP |
| 公开日期 | 1990-07-16 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | PURPOSE:To obtain a low astigmatic difference of by using an NH4OH etchant. After forming the groove, semiconductor layers 2, 3, 4, 5, 6, and 7 are successively grown by liquid phase epitaxy (LPE) method. Since the n-Al0.41Ga0.59 As clad layer 2 does not become flat in the groove section and a thick structure of the n-Al0.35Ga0.65As light guide layer 3 is formed inside the groove, with the thickness of the layer 3 gradually changing inward from the edge of the groove, the effective refractive index distribution in the horizontal direction shows a square distribution. The square distribution waveguide thus formed is excellent in lateral mode stability and, at the same time, the electric field distribution of the light emitted from the waveguide is close to strict gauss beam waves. Therefore, the astigmatic difference of the waveguide becomes smaller than that of a stepped waveguide. |
| 其他摘要 | 目的：通过改变活动区域的有效折射率，以更容易的方式从中心向非活动区域降低，以比传统的阶梯式波导更容易获得平行地形成宽度为5.0μm，深度为2.0μm的V形凹槽。在形成沟槽之后，通过液相外延（LPE）方法连续生长半导体层2,3,4,5,6和7。由于n-Al0.41Ga0.59 As包层2在槽部分中不变平，并且n-Al0.35Ga0.65As导光层3的厚结构形成在槽内，具有层的厚度如图3所示，从凹槽的边缘向内逐渐变化，水平方向上的有效折射率分布显示出方形分布。由此形成的方形分布波导具有优异的横向模式稳定性，同时，从波导发射的光的电场分布接近于严格的高斯光束波。因此，波导的像散差变得小于阶梯波导的像散差。 |
| 申请日期 | 1989-01-06 |
| 专利号 | JP1990181986A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1989001826 |
| 公开（公告）号 | JP1990181986A |
| IPC 分类号 | H01S5/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | - |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/77726 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NEC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | ISHIKAWA MAKOTO. Semiconductor laser. JP1990181986A[P]. 1990-07-16. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1990181986A.PDF（206KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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