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光半導体装置の製造方法
其他题名光半導体装置の製造方法
佐藤 憲史
1999-10-29
专利权人日本電信電話株式会社
公开日期2000-01-11
授权国家日本
专利类型授权发明
摘要(修正有) 【目的】 光半導体チップをサブマウントに損傷なく均一にボンディングする。 【構成】 サブマウント1と光半導体チップ3との間にスペーサ4を配置した状態で、スペーサを上方より押圧部材で押圧し、加熱してダイボンディングする。
其他摘要(经修改) 目的将光学半导体芯片均匀地粘合到基座上而不会损坏。 在基板1和光学半导体芯片3之间设置有间隔物4的状态下,通过按压构件从上方按压间隔物,并且通过加热进行管芯接合。
申请日期1993-03-30
专利号JP2997147B2
专利状态失效
申请号JP1993072066
公开(公告)号JP2997147B2
IPC 分类号H01S5/30 | H01L | H01S | H01S5/00 | H01L21/52
专利代理人秋田 収喜
代理机构-
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/77698
专题半导体激光器专利数据库
作者单位日本電信電話株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
佐藤 憲史. 光半導体装置の製造方法. JP2997147B2[P]. 1999-10-29.
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