半導体レーザ

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	半導体レーザ
其他题名	半導体レーザ
	冨士原潔; 宇野智昭
	1997-07-31
专利权人	松下電器産業株式会社
公开日期	1997-07-31
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】レーザ活性なストライプ状共振器内のキャリア密度分布を均一にし、高バイアス駆動においても利得の飽和の少なくし、高出力動作を得る。【解決手段】 n-InP基板1上にn-InPクラッド層2、InGaAsP導波路層3と圧縮歪が導入されたInGaAsP井戸層4の5層、InGaAsPバリア層5の4層とからなり、室温でのフォトルミネッセンス波長が45μmに設定された量子井戸構造活性領域6、p-InPクラッド層7を積層させる。その後、ストライプ状共振器8を形成し、さらにp-InP電流ブロック層9、n-InP電流ブロック層10、p-InP埋め込み層11、p-InGaAsコンタクト層17を積層する。高出力化のために、出射端面に絶縁膜で低反射率コート15及び高反射率コート16を施す。誘電体膜を高反射率コートして形成される側のストライプ状共振器のストライプ幅Wa1を2μmとし、低反射率コートして形成される側のストライプ状共振器のストライプ幅Wa2を4μmに設定する。
其他摘要	要解决的问题：通过使激光激活条纹谐振器中的载流子密度分布均匀，并且即使在其高偏压驱动的情况下也降低其增益饱和，来获得半导体激光器的高功率操作。解决方案：在半导体激光器中，n-InP包层2，量子阱结构化有源区6和p-InP包层7按此顺序层叠在n-InP衬底1上。量子阱 - 结构化有源区6包括两个InGaAsP波导层3，五个具有引入的压缩应变的InGaAsP阱层4和四个InGaAsP势垒层5，并且其在室温下的光致发光波长设定为45μm。此后，形成条形谐振器8，并且进一步地，在衬底上层叠p-InP电流阻挡层9，n-InP电流阻挡层10，p-InP掩埋层11和p-InGaAs接触层17。为了增加半导体激光器的功率，通过绝缘膜将低反射系数和高反射系数涂层15,16施加到其出射辐射端面。条形谐振器8的条纹宽度Wa1在其由电介质膜的高反射系数涂层16形成的一侧设定为2μm，并且其条带宽度Wa2在其由低电位形成的一侧设定为4μm。反射因子涂层15的介电薄膜。
申请日期	1996-01-16
专利号	JP1997199782A
专利状态	失效
申请号	JP1996004553
公开（公告）号	JP1997199782A
IPC 分类号	H01S5/042 \| H01S5/00 \| H01S3/18
专利代理人	滝本智之 (外1名)
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/77696
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	松下電器産業株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	冨士原潔,宇野智昭. 半導体レーザ. JP1997199782A[P]. 1997-07-31.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1997199782A.PDF（91KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文