半導体レーザ素子および半導体レーザ装置

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	半導体レーザ素子および半導体レーザ装置
其他题名	半導体レーザ素子および半導体レーザ装置
	田中明
	2005-06-09
专利权人	TOSHIBA CORP
公开日期	2005-06-09
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】価電子帯のスパイクの影響を低減して、十分な動作電圧が得られる半導体レーザ素子および半導体レーザ装置を提供することを目的とする。【解決手段】基板12の主面に順次形成された第1導電型の第1クラッド層13、活性層15、上側がストライプ状のリッジ導波路23形状に加工された第2導電型の第2クラッド層19を有する発光層と、リッジ導波路23の上面に形成された第2導電型の第1中間層20と、第2導電型の第2中間層21と、バンドギャップエネルギーが第2クラッド層19よりも小さい第2導電型のコンタクト層22と、前記発光層に電気的導通を取るための電極25、26とを具備している。第2中間層21の組成を第1中間層20とコンタクト層22の中間のバンドギャップを有する組成として、第1中間層21とコンタクト層22のバンドギャップの不連続性を緩和する。【選択図】図1
其他摘要	要解决的问题：提供一种半导体激光器元件和半导体激光器件，通过降低价带中的尖峰的影响，可以获得足够高的工作电压。 ŽSOLUTION：半导体激光元件包括发光层，该发光层包括第一导电型第一包层13，有源层15和第二导电型第二包层19，其上侧被加工成条状脊形波导23，以相继形成这些层位于基板12的主表面上;第二导电型第一中间层20形成在脊形波导23的上表面上;第二导电型第二中间层21;第二导电型接触层22，其带隙能量小于第二包层19的带隙能量;用于在发光层中产生导电的电极25和26。第二中间层21的组成设定为在第一中间层20和接触层22的带隙之间具有中间带隙，以缓和第一中间层21的带隙和接触的不连续性。第22层.Ž
申请日期	2003-11-18
专利号	JP2005150511A
专利状态	失效
申请号	JP2003387860
公开（公告）号	JP2005150511A
IPC 分类号	H01S5/343 \| H01S5/00
专利代理人	外川英明
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/76995
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	TOSHIBA CORP
推荐引用方式 GB/T 7714	田中明. 半導体レーザ素子および半導体レーザ装置. JP2005150511A[P]. 2005-06-09.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP2005150511A.PDF（149KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文