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光半導体装置
其他题名光半導体装置
黒崎 武志; 石井 啓之
1999-03-30
专利权人NIPPON TELEGR & TELEPH CORP
公开日期1999-03-30
授权国家日本
专利类型发明申请
摘要【課題】 活性導波路領域と光導波路領域とを集積した半導体光集積素子を構成要素とする光半導体装置において、発振光における強度雑音レベルの増大を極力抑えながら、反射戻り光によって誘起される発振光の強度雑音の増加を抑制すること。 【解決手段】 活性導波路13を含む活性導波路領域11に信号電流発生装置21より信号電流を加えて信号光を発生させるとともに、該信号光に対して透明な光導波路14を含む光導波路領域12に装置22より該光導波路領域12の屈折率を変動させるための変調電流または変調電圧を加えることにより、半導体光集積素子10への反射戻り光によって誘起される発振光の強度雑音の増加を抑制する。
其他摘要要解决的问题:在具有半导体的光学半导体器件中,为了抑制由反射的返回光引起的振荡光的强度噪声的增加,同时尽可能地抑制振荡光中的强度噪声水平的增加,光学集成元件,通过集成有源波导区域和光波导区域而形成。解决方案:通过施加来自信号电流发生器21的信号电流,在包含有源波导13的有源波导区域11上产生信号光,并且由反射光引起的振荡光的强度噪声电平的增加。半导体光学集成元件10通过施加调制电流或通过器件22抑制在包含透明光波导14的光波导区域12上以改变光波导区域12的折射率。
申请日期1997-09-05
专利号JP1999087853A
专利状态失效
申请号JP1997241459
公开(公告)号JP1999087853A
IPC 分类号H01S5/06 | H01S5/026 | H01S5/042 | H01S5/00 | H01S3/18 | H01S3/103
专利代理人吉田 精孝
代理机构-
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/76000
专题半导体激光器专利数据库
作者单位NIPPON TELEGR & TELEPH CORP
推荐引用方式
GB/T 7714
黒崎 武志,石井 啓之. 光半導体装置. JP1999087853A[P]. 1999-03-30.
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