Manufacture of semiconductor laser

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	Manufacture of semiconductor laser
其他题名	Manufacture of semiconductor laser
	KAWANO HIDEO
	1991-07-05
专利权人	NEC CORP
公开日期	1991-07-05
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	PURPOSE:To block the scattering of As and prevent the damage of a crystal surface by a method wherein, when an InGaAlP based visible ray semiconductor laser is formed especially by MOVPE method or MBE method, an etching stopper layer is not exposed before a GaAs contact layer is grown, and the whole surface of GaAs is covered with a current blocking layer. CONSTITUTION:By low pressure MOVPE method using group III organic metal and group V hydrogen compound, the following are grown in order on an N-type GaAs substrate 1; an N-type GaAs buffer layer 2, an N-type InGaAlP clad layer 3, an InGaP active layer 4, a P-type InGaAlP clad layer 5, a P-type InGaP etching stopper layer 6a whose dopant is Zn, and an N-type GaAs current blocking layer 7. Thus a double hetero structure is obtained. Next, by using a mask, a stripe type trench 11 is dug in a part of the layer 7; while the trench 11 is buried by MOVPE method using triethyl gallium and arsine as raw material, a P-type GaAs contact layer 8 is grown on the whole surface. Then a P-side electrode 9 and an N-side electrode 10 are stuck on the surface and the rear, respectively.
其他摘要	用途：通过一种方法阻止As的散射并防止晶体表面的损坏，其中当特别是通过MOVPE方法或MBE方法形成InGaAlP基可见光半导体激光器时，在GaAs接触之前不暴露蚀刻停止层生长层，GaAs的整个表面覆盖有电流阻挡层。组成：使用III族有机金属和V族氢化合物的低压MOVPE方法，在N型GaAs衬底1上依次生长以下物质; N型GaAs缓冲层2，N型InGaAlP包层3，InGaP有源层4，P型InGaAlP包层5，掺杂剂为Zn的P型InGaP蚀刻停止层6a和N因此，获得双异质结构。接下来，通过使用掩模，在层7的一部分中挖出条形沟槽11;在使用三乙基镓和胂作为原料的MOVPE法掩埋沟槽11的同时，在整个表面上生长P型GaAs接触层8。然后，P侧电极9和N侧电极10分别粘贴在表面和后面。
申请日期	1989-11-15
专利号	JP1991157981A
专利状态	失效
申请号	JP1989298045
公开（公告）号	JP1991157981A
IPC 分类号	H01S5/00 \| H01S5/20 \| H01S5/223 \| H01S5/323 \| H01S3/18
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/75986
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	NEC CORP
推荐引用方式 GB/T 7714	KAWANO HIDEO. Manufacture of semiconductor laser. JP1991157981A[P]. 1991-07-05.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1991157981A.PDF（178KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文