Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体発光素子 | |
| 其他题名 | 半導体発光素子 |
| 山本 英二 | |
| 1994-04-22 | |
| 专利权人 | OLYMPUS OPTICAL CO LTD |
| 公开日期 | 1994-04-22 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【目的】本発明は、特定のふたつ以上の波長の光を任意の強度で出力できることを主要な目的とする。 【構成】化合物半導体により導伝型の層列としてp型/n型/p型またはn型/p型/n型の層構造を形成し、この層構造内のふたつのpn接合近傍にそれぞれ近接する層よりバンドギャップエネルギの小さい組成のふたつの活性層を備え、前記ふたつの活性層に伝導帯と価電子帯の間の遷移波長を互いに異なる大きさに形成し、前記ふたつの活性層を独立に発光させる電流注入手段が設けられていることを特徴とする半導体発光素子。 |
| 其他摘要 | 目的：提供一种半导体发光元件，其通过提供用于使两个有源层独立发光的电流注入装置，可以以任意强度发射多于一种具有特定波长的光。组成：具有不同过渡波长的第一和第二有源层26,28通过第一包层25，隔离层27和第二包层29彼此电隔离。从上P型电极注入的电流34穿过P型扩散层31，P型第二包层29，第二有源层28，n型隔离层27和n型埋层30，并引出到接地电极。类似地，注入下部P型电极32的电流通过P型半导体衬底21，P型缓冲层22，P型扩散层24，P型第一覆层25，第一有源层层26，n型隔离层27和n型埋层30被引出到接地电极。当电流注入第一下有源层26时，n型阻挡层23阻挡反应成分。 |
| 申请日期 | 1992-09-24 |
| 专利号 | JP1994112589A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1992255030 |
| 公开（公告）号 | JP1994112589A |
| IPC 分类号 | H01S5/042 | H01L33/36 | H01L33/12 | H01L33/08 | H01L33/06 | H01L33/30 | H01L33/14 | H01L33/10 | H01S5/40 | H01S5/00 | H01L33/20 | H01S3/18 | H01L33/00 |
| 专利代理人 | 鈴江 武彦 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/75914 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | OLYMPUS OPTICAL CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 山本 英二. 半導体発光素子. JP1994112589A[P]. 1994-04-22. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1994112589A.PDF（76KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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