Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| Semiconductor laser device | |
| 其他题名 | Semiconductor laser device |
| ARIMOTO SATOSHI | |
| 1992-10-27 | |
| 专利权人 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 公开日期 | 1992-10-27 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | PURPOSE:To easily and highly accurately form the ridge of an AlGaAs ridge waveguide type laser device. CONSTITUTION:The upper clad layer of a ridge waveguide type semiconductor laser device is constituted in a two-layer structure of the first upper clad layer 4b of p-type AlGaAs and second upper clad layer 4c of p-type AlGaInP. Since these two materials can be completely removed by selective etching, the ridge section of this laser device can be formed only etching the layer 4c to a ridge- like shape by using the layer 4b as an etching stopper. |
| 其他摘要 | 目的：轻松高精度地形成AlGaAs脊波导型激光器的脊。组成：脊形波导型半导体激光器件的上包层由p型AlGaAs的第一上包层4b和p型AlGaInP的第二上包层4c的双层结构构成。由于这两种材料可以通过选择性蚀刻完全去除，因此该激光器件的脊部分可以仅通过使用层4b作为蚀刻阻挡层而将层4c蚀刻成脊状形状。 |
| 申请日期 | 1991-03-29 |
| 专利号 | JP1992303986A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1991093484 |
| 公开（公告）号 | JP1992303986A |
| IPC 分类号 | H01S5/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | - |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/75881 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | ARIMOTO SATOSHI. Semiconductor laser device. JP1992303986A[P]. 1992-10-27. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1992303986A.PDF（112KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
| 个性服务 |
| 推荐该条目 |
| 保存到收藏夹 |
| 查看访问统计 |
| 导出为Endnote文件 |
| 谷歌学术 |
| 谷歌学术中相似的文章 |
| [ARIMOTO SATOSHI]的文章 |
| 百度学术 |
| 百度学术中相似的文章 |
| [ARIMOTO SATOSHI]的文章 |
| 必应学术 |
| 必应学术中相似的文章 |
| [ARIMOTO SATOSHI]的文章 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论