Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レーザ装置 | |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 駒崎 岩男 | |
| 1993-09-03 | |
| 专利权人 | OLYMPUS OPTICAL CO LTD |
| 公开日期 | 1993-09-03 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【目的】本発明は、しきい値電流の増大の回避、高出力,高効率,高集積化を実現し得ることを主要な目的とする。 【構成】半絶縁性基板,第1クラッド層,活性層,メサ状第2クラッド層,キャップ層,前記第2クラッド層の両側に設けられ電流狭窄機能と光閉込め機能を有する光吸収層,前記第2クラッド層の界面に沿うように形成された第1電気的分離領域とを具備するレ-ザと、光検出器と、前記レ-ザ,光検出器とを分離し、前記基板主面に対して垂直な端面及び45度の端面からなるV字型溝の露出面に前記基板に達するように形成された第2電気的分離領域とを具備する分離領域とを特徴とする半導体レ-ザ装置。 |
| 其他摘要 | 用途：为了避免通过部分去除有效层穿过注入Ga +离子的区域来增加阈值电流，将电极设置在电流阻挡层的表面上，其中下部包层和块导电层并提供垂直于谐振器方向和45度镜面的端面。组成：半导体激光器有一个半导体激光器区域A，一个光电探测器区域B和一个隔离区域C，用于隔离区域A，B。由于p型电极18注入的载流子只注入到台面的中心部分。台面的两侧成为Ga +离子注入区域（高电阻区域）17，其中注入Ga +离子。通过有源层中的载流子的复合产生的光在两个端面上有效地重复反馈，从45度镜面朝向晶片表面反射。区域A和区域B是高电阻区域，其中注入Ga +离子以电完全隔离，从而减小漏电流。 |
| 申请日期 | 1991-04-01 |
| 专利号 | JP1993226763A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1991068575 |
| 公开（公告）号 | JP1993226763A |
| IPC 分类号 | H01S5/026 | H01S5/065 | H01S5/042 | H01S5/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 鈴江 武彦 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/75740 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | OLYMPUS OPTICAL CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 駒崎 岩男. 半導体レーザ装置. JP1993226763A[P]. 1993-09-03. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1993226763A.PDF（38KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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