Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| Semiconductor laser device | |
| 其他题名 | Semiconductor laser device |
| TANAKA, AKIRA | |
| 2008-08-12 | |
| 专利权人 | KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA |
| 公开日期 | 2008-08-12 |
| 授权国家 | 美国 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | In various aspects, a semiconductor light emitting device provided between a first edge and a second edge opposite to the first edge and emitting laser from the first edge, may include: a first clad layer of a first conductivity type having a nitride semiconductor; an active layer provided on the first clad layer and having a nitride semiconductor; a second clad layer of a second conductivity type provided on the active layer having a nitride semiconductor and a ridge waveguide, the ridge waveguide having an activation region and a first edge region which is adjacent to the activation region and is extended from the first edge in a direction from the first edge to the second edge; an upper electrode provided on the ridge waveguide in the activation region; and a dielectric layer provided on a side surface of the ridge waveguide in the activation region, wherein the ridge waveguide in the first edge region has a lower activation ratio of a second conductivity type impurity than the ridge waveguide in the activation region. |
| 其他摘要 | 在各个方面，设置在第一边缘和与第一边缘相对的第二边缘之间并从第一边缘发射激光的半导体发光器件可以包括：具有氮化物半导体的第一导电类型的第一覆层;有源层设置在第一覆层上并具有氮化物半导体;在具有氮化物半导体和脊形波导的有源层上提供第二导电类型的第二覆层，该脊形波导具有激活区域和与激活区域相邻并从第一边缘延伸的第一边缘区域。从第一边到第二边的方向;上电极设置在激活区域中的脊形波导上;以及在激活区域中设置在脊形波导的侧表面上的介电层，其中第一边缘区域中的脊形波导具有比激活区域中的脊形波导低的第二导电类型杂质的激活率。 |
| 申请日期 | 2006-02-20 |
| 专利号 | US7411988 |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | US11/276242 |
| 公开（公告）号 | US7411988 |
| IPC 分类号 | H01S5/00 |
| 专利代理人 | - |
| 代理机构 | BANNER & WITCOFF,LTD |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/75674 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | TANAKA, AKIRA. Semiconductor laser device. US7411988[P]. 2008-08-12. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| US7411988.PDF（159KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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