半導体レーザおよびその製造方法

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	半導体レーザおよびその製造方法
其他题名	半導体レーザおよびその製造方法
	森義弘; 大仲清司
	1993-11-12
专利权人	MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD
公开日期	1993-11-12
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【目的】高い光出力まで基本モード発振を維持するとともに、サージ耐圧を向上させる。【構成】中央部にストライプ状に延在する凸部を持つp型クラッド層104と、その凸部上に形成された障壁低減層108と、障壁低減層108の端部とp型クラッド層104を覆うように形成された電流阻止層106と、これらを覆う導電層109,110を備え、導電層109と障壁低減層108の接する幅を障壁低減層108の幅より狭くして、電流が中央に集まる様にすることにより基本モードが高い電流値まで維持されるようにする。また、1次モードの伝搬損失が大きく、このモードに移った時に一旦光出力が低下するので、瞬時光学損傷の起きる光出力に達する電流値が大きくなり、サージに強くなる。
其他摘要	目的：保持基模振荡达到高光输出，并增强标题激光的浪涌击穿强度。组成：标题激光器具有以下：p型包层104，其设有突出部分，该突出部分在中心部分延伸成条纹形状;形成在突出部分上的阻挡层108;电流阻挡层106以这样的方式形成：阻挡层108和p型覆层104的端部被其覆盖;和覆盖它们的导电层109,110。使导电层109与阻挡层103接触的宽度窄于阻挡层108的宽度，使得电流聚集在中心。因此，基本模式可以保持高电流值。另外，由于标题激光器的主模式的传播损耗很大，并且当标题激光器转换到模式时标题激光器的光输出降低，所以到达光学输出的电流值导致其瞬时光学损坏变大，标题激光变得耐冲击。
申请日期	1992-04-23
专利号	JP1993299763A
专利状态	失效
申请号	JP1992104312
公开（公告）号	JP1993299763A
IPC 分类号	H01S5/00 \| H01S3/18
专利代理人	宮井暎夫
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/75522
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD
推荐引用方式 GB/T 7714	森義弘,大仲清司. 半導体レーザおよびその製造方法. JP1993299763A[P]. 1993-11-12.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1993299763A.PDF（36KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文