Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半导体激光器 | |
| 其他题名 | 半导体激光器 |
| 高濑祯 | |
| 2005-10-26 | |
| 专利权人 | 三菱电机株式会社 |
| 公开日期 | 2005-10-26 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 一种半导体激光器，该激光器在p-包层与n-包层之间设置活性层，该活性层具有包含多个势垒层和阱层的多重量子阱，且至少在一个势垒层上进行了p型调制掺杂。具体地说，提供一种靠近p-包层的势垒层的p型调制掺杂量少于靠近n-包层的势垒层的p型调制掺杂量的半导体激光器。借以抑制不发光再结合，提高差分增益和高速应答性。同时因离p-包层远的势垒层中空穴密度变高，所以还可改善载流子的不均性。 |
| 其他摘要 | 一种半导体激光器，该激光器在p-包层与n-包层之间设置活性层，该活性层具有包含多个势垒层和阱层的多重量子阱，且至少在一个势垒层上进行了p型调制掺杂。具体地说，提供一种靠近p-包层的势垒层的p型调制掺杂量少于靠近n-包层的势垒层的p型调制掺杂量的半导体激光器。借以抑制不发光再结合，提高差分增益和高速应答性。同时因离p-包层远的势垒层中空穴密度变高，所以还可改善载流子的不均性。 |
| 申请日期 | 2003-01-21 |
| 专利号 | CN1225067C |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN03101735.5 |
| 公开（公告）号 | CN1225067C |
| IPC 分类号 | H01S5/343 | H01S5/12 | H01S5/125 | H01S5/30 | H01S5/00 |
| 专利代理人 | 王岳 | 叶恺东 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/75220 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱电机株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 高濑祯. 半导体激光器. CN1225067C[P]. 2005-10-26. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN1225067C.PDF（450KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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