半导体激光装置及其制造方法

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	半导体激光装置及其制造方法
其他题名	半导体激光装置及其制造方法
	横山毅; 鹿岛孝之; 牧田幸治
	2009-04-01
专利权人	松下电器产业株式会社
公开日期	2009-04-01
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	一种半导体激光装置，其在半导体基板(1)的一个主面的一部分即第1区域上，形成有第1半导体激光器构造(10)，该第1半导体激光器构造(10)具有从半导体基板侧开始依次层叠的第1下部包层(3)、具有第1量子阱构造的第1活性层(4)、及第1上部包层(5、7)，从而形成第1谐振器；在半导体基板的一个主面的与第1区域不同的第2区域上，形成有第2半导体激光器构造(20)，该第2半导体激光器构造(20)具有从半导体基板侧开始依次层叠的第2下部包层(13)、具有第2量子阱构造的第2活性层(14)、及第2上部包层(15、17)，从而形成第2谐振器。在第1和第2谐振器的端面形成有端面涂膜(31、32)，第1和第2谐振器的端面和端面涂膜之间形成有含氮层(30)。在具有以单块形成的高输出的双波长激光器的半导体激光装置中，可抑制激光器的高输出动作中的COD水平的降低。
其他摘要	一种半导体激光装置，其在半导体基板(1)的一个主面的一部分即第1区域上，形成有第1半导体激光器构造(10)，该第1半导体激光器构造(10)具有从半导体基板侧开始依次层叠的第1下部包层(3)、具有第1量子阱构造的第1活性层(4)、及第1上部包层(5、7)，从而形成第1谐振器；在半导体基板的一个主面的与第1区域不同的第2区域上，形成有第2半导体激光器构造(20)，该第2半导体激光器构造(20)具有从半导体基板侧开始依次层叠的第2下部包层(13)、具有第2量子阱构造的第2活性层(14)、及第2上部包层(15、17)，从而形成第2谐振器。在第1和第2谐振器的端面形成有端面涂膜(31、32)，第1和第2谐振器的端面和端面涂膜之间形成有含氮层(30)。在具有以单块形成的高输出的双波长激光器的半导体激光装置中，可抑制激光器的高输出动作中的COD水平的降低。
申请日期	2008-09-26
专利号	CN101399431A
专利状态	失效
申请号	CN200810161749.9
公开（公告）号	CN101399431A
IPC 分类号	H01S5/40 \| H01S5/34 \| H01S5/343
专利代理人	陈建全
代理机构	永新专利商标代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/75168
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	松下电器产业株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	横山毅,鹿岛孝之,牧田幸治. 半导体激光装置及其制造方法. CN101399431A[P]. 2009-04-01.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN101399431A.PDF（567KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文