一种半导体激光器准直透镜制作装置

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	一种半导体激光器准直透镜制作装置
其他题名	一种半导体激光器准直透镜制作装置
	王克逸; 詹珍贤; 丁志中; 姚海涛
	2009-05-27
专利权人	中国科学技术大学
公开日期	2009-05-27
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明涉及能够改变准直透镜面形的一种半导体激光器准直透镜制作装置，解决了现有准直透镜或透镜组体积大、成本高、装调困难、能量利用率低等问题。本发明包括二维微调台、环形紫外光源、电极、注射器、光斑检测摄像机和面形检测光路；半导体激光器位于环形紫外光源中央，且二者位于二维微调台上；环形紫外光源环壁内侧面均布设有三个以上紫外发光二极管；面形检测光路由白光光源、反光镜、镜头和面形检测摄像机组成；电极和注射器垂直位于二维微调台上方，且半导体激光器、电极、光斑检测摄像机三者的轴向中心线重合。本发明工艺简单，成本低；在半导体激光器的出光窗口上直接滴液滴制作准直透镜，免装调，且体积小，重量轻，能量利用率高。
其他摘要	本发明涉及能够改变准直透镜面形的一种半导体激光器准直透镜制作装置，解决了现有准直透镜或透镜组体积大、成本高、装调困难、能量利用率低等问题。本发明包括二维微调台、环形紫外光源、电极、注射器、光斑检测摄像机和面形检测光路；半导体激光器位于环形紫外光源中央，且二者位于二维微调台上；环形紫外光源环壁内侧面均布设有三个以上紫外发光二极管；面形检测光路由白光光源、反光镜、镜头和面形检测摄像机组成；电极和注射器垂直位于二维微调台上方，且半导体激光器、电极、光斑检测摄像机三者的轴向中心线重合。本发明工艺简单，成本低；在半导体激光器的出光窗口上直接滴液滴制作准直透镜，免装调，且体积小，重量轻，能量利用率高。
申请日期	2008-12-17
专利号	CN101442181A
专利状态	失效
申请号	CN200810233927
公开（公告）号	CN101442181A
IPC 分类号	H01S5/14
专利代理人	金惠贞
代理机构	合肥金安专利事务所
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/75054
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学技术大学
推荐引用方式 GB/T 7714	王克逸,詹珍贤,丁志中,等. 一种半导体激光器准直透镜制作装置. CN101442181A[P]. 2009-05-27.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN101442181A.PDF（644KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文