半導体発光装置の製造方法

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	半導体発光装置の製造方法
其他题名	半導体発光装置の製造方法
	長谷川義晃; 辻村歩; 石橋明彦; 木戸口勲; 粂雅博; 伴雄三郎
	2001-01-12
专利权人	松下電器産業株式会社
公开日期	2001-01-12
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】 III-V族窒化物半導体よりなる半導体発光装置の電流狭窄構造を容易に且つ確実に実現できるようにする。【解決手段】サファイアよりなる基板11上に、n型クラッド層14、n型光ガイド層15、多重量子井戸活性層16及びp型光ガイド層17を順次成長させる。その後、p型光ガイド層17上に全面にわたって膜厚が約0.1μmのSiO2 よりなる電流狭窄形成層18Aを堆積する。続いて、電流狭窄形成層18A上に、開口幅が約3μmのストライプ形状で、該ストライプが延びる方向がGaN結晶のほぼ方向となる開口部を持つマスクパターン19Bを形成し、これを用いてウェットエッチングを行なうことにより、電流狭窄形成層18Aから開口部18aを持つ電流狭窄層18Bを形成する。続いて、p型光ガイド層17上に、p型クラッド層20を電流狭窄層18B上にも大きく広がるように成長させる。
其他摘要	要解决的问题：容易且可靠地实现由III-V族氮化物半导体构成的半导体发光器件的电流收缩结构。解决方案：在由蓝宝石构成的基板11上依次生长N型覆层14，N型光导层15，多量子阱有源层16和P型光导层17。之后，在P型光导层17的整个表面上沉积由膜厚度为0.1μm的SiO2组成的电流收缩形成层18A。具有条形孔径部分的掩模图案19B，其中孔径在电流限制形成层18A上形成宽度约为3μm，条纹的拉伸方向几乎变为方向的GaN晶体。通过使用掩模图案19B执行湿法蚀刻，并且从电流限制形成层18A形成具有开口部分18a的电流限制层18B。在P型光导层17上生长P型覆层20，以便在电流限制层18B上也大量扩展。
申请日期	1999-06-25
专利号	JP2001007443A
专利状态	失效
申请号	JP1999179628
公开（公告）号	JP2001007443A
IPC 分类号	H01L \| H01S \| H01S5/323 \| H01S5/343 \| H01L33/06 \| H01L33/14 \| H01S5/227 \| H01L33/32 \| H01S5/00 \| H01L33/44 \| H01L33/00
专利代理人	前田弘 (外1名)
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/74514
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	松下電器産業株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	長谷川義晃,辻村歩,石橋明彦,等. 半導体発光装置の製造方法. JP2001007443A[P]. 2001-01-12.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP2001007443A.PDF（274KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文