半導体レーザ素子

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	半導体レーザ素子
其他题名	半導体レーザ素子
	田中俊明; 内田憲治; 渡辺明禎; 赤松正一; 皆川重量
	1997-01-10
专利权人	株式会社日立製作所
公开日期	1997-01-10
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【目的】本発明の目的は、特にこれまで導波路や共振器の形成が困難であったNitride材料において、半導体レーザに適する導波路共振構造を形成することにより、青紫色波長領域のレーザ動作を実現させることにある。【構成】絶縁膜マスクパターン4を形成して、選択成長技術により、(0001)C面を有するサファイア基板1上にAlGaInN材料からなる導波路共振構造を作製する。このとき、導波路側面は、基板に対して垂直な平滑面にでき、発光活性層を光導波層に埋め込んだ形であるBH構造を構成できる。Nitride材料からなる導波路はサファイア基板の(11-20)A面に平行な方向に形成しておき、電極9,10を蒸着した後、基板の(11-20)A面に対して垂直な方向に劈開して素子を得る。【効果】本発明によれば、電流注入により410〜430nmの波長範囲でレーザ発振を実現できる。
其他摘要	目的：通过形成适合于使用氮化物材料的半导体激光器的波导谐振结构来实现蓝紫色波长范围内的激光操作，该氮化物材料通常不适合用于形成谐振器的波导。组成：通过选择性生长技术，在具有（0001）C面的蓝宝石衬底1上形成绝缘膜掩模图案4并由AlGaIn制造波导谐振结构。波导可以具有垂直于衬底延伸的光滑侧面，可以获得BH结构，其中发射有源层掩埋在光波导层中。氮化物材料的波导与蓝宝石衬底的（11-20）面平行地形成，并且在沉积电极9,10之后，将衬底垂直地切割到（11-20）面，从而获得元件。该结构通过注入电流实现410-430nm波长范围内的激光振荡。
申请日期	1995-06-19
专利号	JP1997008395A
专利状态	失效
申请号	JP1995151302
公开（公告）号	JP1997008395A
IPC 分类号	H01S5/00 \| H01S5/323 \| H01S3/18
专利代理人	小川勝男
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/74260
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	株式会社日立製作所
推荐引用方式 GB/T 7714	田中俊明,内田憲治,渡辺明禎,等. 半導体レーザ素子. JP1997008395A[P]. 1997-01-10.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1997008395A.PDF（105KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文