Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レーザ素子 | |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子 |
| 瀧本 真恵; 田中 俊明; 柳澤 浩徳 | |
| 1995-04-25 | |
| 专利权人 | HITACHI LTD |
| 公开日期 | 1995-04-25 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【構成】引張又は圧縮歪を導入した歪単一あるいは歪多重量子井戸構造活性層を有した半導体レ-ザにおいて、歪量子井戸構造を低閾値動作に向けて最適化するとともに、導入する格子歪の符号や歪量さらに量子井戸幅に応じて、素子の共振器長や端面反射率を設定して偏波強度を大きくする。 【効果】歪多重量子井戸構造レ-ザでは、室温における相対偏波強度比(ITM-ITE/ITM+ITE)は共振器長が短くなるにつれて相対偏波強度が強くなり、共振器長200μmの素子で相対強度比は0.9〜0.95の高い値が得られた。 |
| 其他摘要 | 应变量子阱结构针对具有应变单或应变多量子阱结构有源层的半导体激光器中的低阈值操作进行了优化，其中引入了拉伸或压缩应变并引入了晶格畸变并且失真量此外，通过根据量子阱宽度设置元件的谐振器长度和端面反射率来增加极化长度。 在应变多量子阱结构激光器中，室温下的相对偏振强度比（I TM - I TE / I TM + I TE ），随着谐振器长度变短，相对极化强度变强，并且谐振器长度为200μm的元件的相对强度比为0.9-0.95。 |
| 申请日期 | 1993-10-14 |
| 专利号 | JP1995111367A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1993256718 |
| 公开（公告）号 | JP1995111367A |
| IPC 分类号 | H01S5/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 小川 勝男 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/74237 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | HITACHI LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 瀧本 真恵,田中 俊明,柳澤 浩徳. 半導体レーザ素子. JP1995111367A[P]. 1995-04-25. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1995111367A.PDF（36KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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