半導体レーザ装置の製造方法

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	半導体レーザ装置の製造方法
其他题名	半導体レーザ装置の製造方法
	瀬古保次
	1994-01-28
专利权人	FUJI XEROX CO LTD
公开日期	1994-01-28
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【目的】高効率かつ低しきい値で、温度特性を良くすると共に、近接ストライプ間の熱的クロストークを低減させる。【構成】代表的な結晶面方位(001)から傾斜した結晶面を表面とする傾斜基板1に、エッチング法などにより1または複数個のストライプ状凸形状の平坦面1aを形成する。この基板表面全体にクラッド層5,10とコンファイメント層6とそれにより挟まれた活性層(井戸層7,障壁層8)を主構成要素とする半導体レーザ構造を作製する。活性層はストライプ状凸形状の上部平坦面に存在する単原子層ステップを利用した縦型超格子で形成された量子井戸、あるいは量子細線あるいは量子箱により構成される。マルチビームレーザの場合、クラッド層10を覆うp型キャップ層11上にはエッチングで分離されたp型電極21a,21bを、また基板1側にはn型電極22が形成される。
其他摘要	目的：实现高效率和低阈值，提高温度特性，并减少相邻条纹之间的热串扰。构成：在表面为从代表性晶面取向（001）倾斜的晶面的倾斜基板1上，通过蚀刻法等形成一个或多个条形突起型平面1a。在整个基板表面上形成半导体激光器结构，并且主要构成元件是覆层5,10，限制层6和夹在层6之间的有源层（阱层7，阻挡层8）。活性层7,8由量子阱或量子线或量子盒构成，所述量子阱或量子盒由存在于条型突出型上平面上的使用单原子台阶的垂直超格子形成。在多光束激光器的情况下，通过蚀刻分离的P型电极21a，21b形成在覆盖覆盖层10的P型覆盖层11上，并且N型电极22形成在基板1侧。
申请日期	1992-06-30
专利号	JP1994021564A
专利状态	失效
申请号	JP1992172186
公开（公告）号	JP1994021564A
IPC 分类号	H01S5/00 \| H01S3/18
专利代理人	中野佳直 (外1名)
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/74180
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	FUJI XEROX CO LTD
推荐引用方式 GB/T 7714	瀬古保次. 半導体レーザ装置の製造方法. JP1994021564A[P]. 1994-01-28.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1994021564A.PDF（51KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文