Manufacture of semiconductor laser

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	Manufacture of semiconductor laser
其他题名	Manufacture of semiconductor laser
	SASAKI TATSUYA; MITO IKUO
	1989-03-28
专利权人	NEC CORP
公开日期	1989-03-28
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	PURPOSE:To reduce a leakage current and to improve characteristics of a semiconductor laser by forming the layer of a buried hetero structure semiconductor laser by organic metal vapor growth. CONSTITUTION:An organic metal vapor growth and an MOVPE growth are conducted, for example, under reduced pressure of 76Torr, and growing temperature is set to approx. 625 deg.C. As a first growth, an InP buffer layer 2, an InGaAsP active layer 3 and an InP clad layer 4 are continuously grown on an InP substrate 1, and a DH structure is formed. After an SiN film is formed by plasma CVD on the surface, an SiN film remains in a stripe state in a direction (110), and with the film as a mask it is selectively etched to the substrate 1 with an etchant to form a vertical mesa on the side face (-100). Then, as a second growth, an InGaAsP turn ON preventive semiconductor layer 11, an InP current blocking layer 13 and an InP current blocking layer 13 are continuously buried and grown. After the SiN film on the mesa is removed, as a third growth an InP clad layer 21 and an InGaAsP cap layer 22 are grown on a whole surface.
其他摘要	目的：通过有机金属气相生长形成掩埋异质结构半导体激光器层，降低漏电流并改善半导体激光器的特性。组成：有机金属蒸汽生长和MOVPE生长进行，例如，在76Torr的减压下，生长温度设定为约。 625摄氏度作为第一次生长，在InP衬底1上连续生长InP缓冲层2，InGaAsP有源层3和InP覆层4，并形成DH结构。在表面上通过等离子体CVD形成SiN膜之后，SiN膜在方向（110）上保持条带状态，并且以膜作为掩模，用蚀刻剂选择性地将其蚀刻到基板1上以形成垂直侧面的台面（-100）。然后，作为第二生长，连续掩埋和生长InGaAsP导通防止半导体层11，InP电流阻挡层13和InP电流阻挡层13。在去除台面上的SiN膜之后，作为第三生长，在整个表面上生长InP包层21和InGaAsP盖层22。
申请日期	1987-09-25
专利号	JP1989082684A
专利状态	失效
申请号	JP1987241317
公开（公告）号	JP1989082684A
IPC 分类号	H01L21/205 \| H01S5/00 \| H01S5/227 \| H01S3/18
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/74016
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	NEC CORP
推荐引用方式 GB/T 7714	SASAKI TATSUYA,MITO IKUO. Manufacture of semiconductor laser. JP1989082684A[P]. 1989-03-28.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1989082684A.PDF（202KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文