Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 一种半导体激光器 | |
| 其他题名 | 一种半导体激光器 |
| 王小军; 宗楠; 彭钦军; 许祖彦; 杨晶 | |
| 2019-01-11 | |
| 专利权人 | 中国科学院理化技术研究所 |
| 公开日期 | 2019-01-11 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体激光器，包括一个或多个半导体芯片(1‑1)，每个所述半导体芯片(1‑1)的发光单元(1‑11)的增益区(1‑11A)的沿慢轴方向的长度为1mm～10cm；激光谐振腔，用于调整所述发光单元(1‑11)发射出的半导体激光使其在慢轴方向形成谐振，使所述发光单元(1‑11)的增益区(1‑11A)在慢轴方向的尺寸与基模光斑半径ω0相匹配；快轴准直元件(FAC)，设置在所述激光谐振腔内，用于对所述发光单元(1‑11)发射的激光在快轴方向准直。本发明实施方式提供的半导体激光器，一方面能够提高增益区高功率的输出能力，另一方面又改善了光束质量，可实现M2<2的高光束质量输出。 |
| 其他摘要 | 本发明公开了一种半导体激光器，包括一个或多个半导体芯片(1‑1)，每个所述半导体芯片(1‑1)的发光单元(1‑11)的增益区(1‑11A)的沿慢轴方向的长度为1mm～10cm；激光谐振腔，用于调整所述发光单元(1‑11)发射出的半导体激光使其在慢轴方向形成谐振，使所述发光单元(1‑11)的增益区(1‑11A)在慢轴方向的尺寸与基模光斑半径ω0相匹配；快轴准直元件(FAC)，设置在所述激光谐振腔内，用于对所述发光单元(1‑11)发射的激光在快轴方向准直。本发明实施方式提供的半导体激光器，一方面能够提高增益区高功率的输出能力，另一方面又改善了光束质量，可实现M2<2的高光束质量输出。 |
| 申请日期 | 2018-10-15 |
| 专利号 | CN109193342A |
| 专利状态 | 申请中 |
| 申请号 | CN201811197779 |
| 公开（公告）号 | CN109193342A |
| IPC 分类号 | H01S5/30 | H01S5/10 | H01S5/22 | H01S5/40 |
| 专利代理人 | 陈超 |
| 代理机构 | 北京中政联科专利代理事务所(普通合伙) |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/73686 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院理化技术研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王小军,宗楠,彭钦军,等. 一种半导体激光器. CN109193342A[P]. 2019-01-11. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN109193342A.PDF（692KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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