一种半导体激光光源

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	一种半导体激光光源
其他题名	一种半导体激光光源
	徐会武; 任浩; 闫立华; 牛江丽; 王达鹏; 王伟; 李朝毅
	2018-11-20
专利权人	石家庄麦特达电子科技有限公司
公开日期	2018-11-20
授权国家	中国
专利类型	实用新型
摘要	本实用新型涉及半导体激光器技术领域，公开了一种半导体激光光源，包括在竖直方向对称设置的两个发光机构，发光机构包括从上至下依次连接的激光器芯片组、热沉、半导体致冷器、散热通道和散热风扇；激光器芯片组设置在热沉上表面的一端，热沉通过半导体致冷器与散热通道的一端连接，散热通道的另一端与散热风扇连接：两个发光机构通过壳体连接在一起；激光器芯片组的出射光线经过固定在散热通道之间的单方向准直透镜后射出。本实用新型半导体激光光源通过在竖直方向对称堆栈激光器芯片组，提高激光器峰值功率，使用单方向准直透镜对激光器的光束进行整形，减弱激光器芯片之间的相位效应，使快轴发散角与慢轴发散角相近，从而获得分布均匀的光场。
其他摘要	本实用新型涉及半导体激光器技术领域，公开了一种半导体激光光源，包括在竖直方向对称设置的两个发光机构，发光机构包括从上至下依次连接的激光器芯片组、热沉、半导体致冷器、散热通道和散热风扇；激光器芯片组设置在热沉上表面的一端，热沉通过半导体致冷器与散热通道的一端连接，散热通道的另一端与散热风扇连接：两个发光机构通过壳体连接在一起；激光器芯片组的出射光线经过固定在散热通道之间的单方向准直透镜后射出。本实用新型半导体激光光源通过在竖直方向对称堆栈激光器芯片组，提高激光器峰值功率，使用单方向准直透镜对激光器的光束进行整形，减弱激光器芯片之间的相位效应，使快轴发散角与慢轴发散角相近，从而获得分布均匀的光场。
申请日期	2018-03-23
专利号	CN208127623U
专利状态	授权
申请号	CN201820405978.X
公开（公告）号	CN208127623U
IPC 分类号	H01S5/06 \| H01S5/024 \| G02B27/09
专利代理人	米文智
代理机构	石家庄国为知识产权事务所
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/73608
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	石家庄麦特达电子科技有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	徐会武,任浩,闫立华,等. 一种半导体激光光源. CN208127623U[P]. 2018-11-20.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN208127623U.PDF（443KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文