非对称结构相移光栅及DFB半导体激光器

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	非对称结构相移光栅及DFB半导体激光器
其他题名	非对称结构相移光栅及DFB半导体激光器
	郑俊守; 孙雨舟; 王祥忠
	2018-06-29
专利权人	苏州旭创科技有限公司
公开日期	2018-06-29
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本申请揭示了一种非对称结构相移光栅及DFB半导体激光器，所述相移光栅包括位于相移光栅非中心位置的相移结构及位于相移结构两侧的第一光栅和第二光栅，所述第一光栅和第二光栅的刻蚀深度相等、且光栅占空比相等或光栅占空比之和等于1，所述第一光栅和第二光栅的长度不同，第一光栅和第二光栅中邻近相移结构两侧为一定长度的第一啁啾光栅和第二啁啾光栅，第一啁啾光栅和第二啁啾光栅沿相移结构对称分布，且第一啁啾光栅和第二啁啾光栅的光栅周期沿朝向相移结构方向逐渐变化。本申请可实现光功率的非对称输出，提高了激光器的输出光功率；减小相移结构附近的折射率调制，有效减弱空间烧孔效应的影响，提高了激光器的单模稳定性。
其他摘要	本申请揭示了一种非对称结构相移光栅及DFB半导体激光器，所述相移光栅包括位于相移光栅非中心位置的相移结构及位于相移结构两侧的第一光栅和第二光栅，所述第一光栅和第二光栅的刻蚀深度相等、且光栅占空比相等或光栅占空比之和等于1，所述第一光栅和第二光栅的长度不同，第一光栅和第二光栅中邻近相移结构两侧为一定长度的第一啁啾光栅和第二啁啾光栅，第一啁啾光栅和第二啁啾光栅沿相移结构对称分布，且第一啁啾光栅和第二啁啾光栅的光栅周期沿朝向相移结构方向逐渐变化。本申请可实现光功率的非对称输出，提高了激光器的输出光功率；减小相移结构附近的折射率调制，有效减弱空间烧孔效应的影响，提高了激光器的单模稳定性。
申请日期	2016-12-22
专利号	CN108233173A
专利状态	失效
申请号	CN201611201528.0
公开（公告）号	CN108233173A
IPC 分类号	H01S5/12 \| H01S5/125
专利代理人	杨林洁
代理机构	苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙)
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/73409
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	苏州旭创科技有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	郑俊守,孙雨舟,王祥忠. 非对称结构相移光栅及DFB半导体激光器. CN108233173A[P]. 2018-06-29.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN108233173A.PDF（536KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文