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化合物半导体封装结构及其制造方法
其他题名化合物半导体封装结构及其制造方法
陈志明
2011-09-21
专利权人展晶科技(深圳)有限公司
公开日期2011-09-21
授权国家中国
专利类型发明申请
摘要本发明揭露一种化合物半导体组件之封装结构,包含一基板,具有第一表面及相对于第一表面之第二表面,复数个金属柱,导通该基板之该第一表面及相对于该第一表面之该第二表面,一反射杯,围绕于该基板之第一表面以及形成一功能区,一反射层,覆盖于该反射杯及该功能区表面,并且露出部分之第一电极区域以及部分之第二电极区域,至少一个以上之化合物半导体晶粒,固接于该功能区上,以及一透明胶,覆盖于该至少一个以上之化合物半导体晶粒,其反射层除了可增加组件之亮度外,亦有均温的功能。再者,本发明同时提供封装结构之制造方法。
其他摘要本发明揭露一种化合物半导体组件之封装结构,包含一基板,具有第一表面及相对于第一表面之第二表面,复数个金属柱,导通该基板之该第一表面及相对于该第一表面之该第二表面,一反射杯,围绕于该基板之第一表面以及形成一功能区,一反射层,覆盖于该反射杯及该功能区表面,并且露出部分之第一电极区域以及部分之第二电极区域,至少一个以上之化合物半导体晶粒,固接于该功能区上,以及一透明胶,覆盖于该至少一个以上之化合物半导体晶粒,其反射层除了可增加组件之亮度外,亦有均温的功能。再者,本发明同时提供封装结构之制造方法。
申请日期2010-03-12
专利号CN102194964A
专利状态失效
申请号CN201010123281
公开(公告)号CN102194964A
IPC 分类号H01L33/48 | H01L33/60 | H01L33/62 | H01L33/64
专利代理人-
代理机构-
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/72643
专题半导体激光器专利数据库
作者单位展晶科技(深圳)有限公司
推荐引用方式
GB/T 7714
陈志明. 化合物半导体封装结构及其制造方法. CN102194964A[P]. 2011-09-21.
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CN102194964A.PDF(1205KB)专利 开放获取CC BY-NC-SA请求全文
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