Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半导体激光光源 | |
| 其他题名 | 半导体激光光源 |
| 刘安金; 杨礴 | |
| 2019-09-27 | |
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 公开日期 | 2019-09-27 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体激光光源，该半导体激光光源包含一个或者多个激光器单元组成的二维半导体面发射激光器阵列，其中的单个激光器单元包括：衬底；在衬底上设置的激光发光区，输出功率监测区，耦合输出区，和电极；以及光束整形区，设置于耦合输出区上方。本发明提供的该半导体激光光源具有大功率输出、可实时监测、圆形光束、易于模式控制、能够二维阵列集成的优势，克服了垂直腔面发射激光器功率受限和材料外延生长困难的问题，容易实现工作波长从200纳米到500微米的半导体面发射激光器阵列，可以用于激光雷达、人脸识别、激光照明、激光泵浦和材料加工等领域。 |
| 其他摘要 | 本发明公开了一种半导体激光光源，该半导体激光光源包含一个或者多个激光器单元组成的二维半导体面发射激光器阵列，其中的单个激光器单元包括：衬底；在衬底上设置的激光发光区，输出功率监测区，耦合输出区，和电极；以及光束整形区，设置于耦合输出区上方。本发明提供的该半导体激光光源具有大功率输出、可实时监测、圆形光束、易于模式控制、能够二维阵列集成的优势，克服了垂直腔面发射激光器功率受限和材料外延生长困难的问题，容易实现工作波长从200纳米到500微米的半导体面发射激光器阵列，可以用于激光雷达、人脸识别、激光照明、激光泵浦和材料加工等领域。 |
| 申请日期 | 2019-06-21 |
| 专利号 | CN110289555A |
| 专利状态 | 申请中 |
| 申请号 | CN201910546500.8 |
| 公开（公告）号 | CN110289555A |
| IPC 分类号 | H01S5/40 | H01S5/42 | H01S5/187 |
| 专利代理人 | 张宇园 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/72575 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘安金,杨礴. 半导体激光光源. CN110289555A[P]. 2019-09-27. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN110289555A.PDF（565KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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