一种半导体激光器及其制备方法

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	一种半导体激光器及其制备方法
其他题名	一种半导体激光器及其制备方法
	佟存柱; 宿家鑫; 汪丽杰; 田思聪; 舒世立; 张新; 王立军
	2019-09-10
专利权人	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
公开日期	2019-09-10
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明公开了一种半导体激光器，在脊型传输层的内脊区表面设置有光电调制阵列，该光电调制阵列包括电流调制阵列和光线调制阵列，电流调制阵列包括多个具有预设厚度的导电单元。上述形貌的导电单元可以使覆盖导电单元的第一电极与脊型传输层接触的表面具有凹凸不平的结构，使得注入电极存在高度差，从而控制FFB效应。而光线调制阵列包括位于盖层表面的盲孔，该盲孔底面与第二包层朝向衬底一侧表面的距离小于脊型传输层中倏逝波长度，使得盲孔可以阻碍激光器两侧高阶模式的传输，从而提高了半导体激光器在大电流注入下的光束质量。本发明还提供了一种半导体激光器的制备方法，所制得的半导体激光器同样具有上述有益效果。
其他摘要	本发明公开了一种半导体激光器，在脊型传输层的内脊区表面设置有光电调制阵列，该光电调制阵列包括电流调制阵列和光线调制阵列，电流调制阵列包括多个具有预设厚度的导电单元。上述形貌的导电单元可以使覆盖导电单元的第一电极与脊型传输层接触的表面具有凹凸不平的结构，使得注入电极存在高度差，从而控制FFB效应。而光线调制阵列包括位于盖层表面的盲孔，该盲孔底面与第二包层朝向衬底一侧表面的距离小于脊型传输层中倏逝波长度，使得盲孔可以阻碍激光器两侧高阶模式的传输，从而提高了半导体激光器在大电流注入下的光束质量。本发明还提供了一种半导体激光器的制备方法，所制得的半导体激光器同样具有上述有益效果。
申请日期	2019-06-06
专利号	CN110224296A
专利状态	申请中
申请号	CN201910491498.9
公开（公告）号	CN110224296A
IPC 分类号	H01S5/06 \| H01S5/22
专利代理人	王云晓
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/72560
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	佟存柱,宿家鑫,汪丽杰,等. 一种半导体激光器及其制备方法. CN110224296A[P]. 2019-09-10.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN110224296A.PDF（483KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文