Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半导体激光发生装置 | |
| 其他题名 | 半导体激光发生装置 |
| 陶桦 | |
| 2019-08-16 | |
| 专利权人 | 华科微磁(北京)光电技术有限公司 |
| 公开日期 | 2019-08-16 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 本发明提供了一种半导体激光发生装置，包括激光器、温度传感器、热沉、电加热片、温度测量单元和温度控制单元；所述热沉层叠在激光器与电加热片之间，所述热沉的相对的两侧表面分别与激光器和电加热片紧密贴合，所述电加热片与温度控制单元电连接。这种半导体激光发生装置取消具有强磁性的TEC温度控制模块，温度测量单元采用高频交流信号激励温度传感器，避免温度测量时产生低频交流感应磁场，温度控制单元采用高频交流信号驱动电加热片，避免温度控制时产生低频交流感应磁场，确保激光光源自身不引入磁场偏置和磁场噪声，提高传感器的精度，达到量子传感器等对磁场敏感的领域应用要求。 |
| 其他摘要 | 本发明提供了一种半导体激光发生装置，包括激光器、温度传感器、热沉、电加热片、温度测量单元和温度控制单元；所述热沉层叠在激光器与电加热片之间，所述热沉的相对的两侧表面分别与激光器和电加热片紧密贴合，所述电加热片与温度控制单元电连接。这种半导体激光发生装置取消具有强磁性的TEC温度控制模块，温度测量单元采用高频交流信号激励温度传感器，避免温度测量时产生低频交流感应磁场，温度控制单元采用高频交流信号驱动电加热片，避免温度控制时产生低频交流感应磁场，确保激光光源自身不引入磁场偏置和磁场噪声，提高传感器的精度，达到量子传感器等对磁场敏感的领域应用要求。 |
| 申请日期 | 2019-05-10 |
| 专利号 | CN110137798A |
| 专利状态 | 申请中 |
| 申请号 | CN201910386994.8 |
| 公开（公告）号 | CN110137798A |
| IPC 分类号 | H01S5/024 |
| 专利代理人 | 梁晨 |
| 代理机构 | 北京智沃律师事务所 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/72549 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 华科微磁(北京)光电技术有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陶桦. 半导体激光发生装置. CN110137798A[P]. 2019-08-16. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN110137798A.PDF（341KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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