半导体激光器非吸收窗口及其制备方法和半导体激光器

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	半导体激光器非吸收窗口及其制备方法和半导体激光器
其他题名	半导体激光器非吸收窗口及其制备方法和半导体激光器
	程洋; 王俊; 赵智德; 谭少阳
	2019-08-02
专利权人	苏州长光华芯光电技术有限公司
公开日期	2019-08-02
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明公开了一种半导体激光器非吸收窗口及其制备方法和半导体激光器，该制备方法包括：在半导体激光器晶圆的待扩散区域生长扩散源；对生长有扩散源的晶圆在包含射频电场、砷气氛及轰击离子的环境中退火，形成非吸收窗口。通过实施本发明，在射频电场的作用下，轰击离子会轰击晶圆片表面，在无保护层的扩散源内部产生空位缺陷，富As的环境有利于外延层中的Ga、Al原子向扩散源中扩散，并在扩散源内部同As原子相结合，同时在外延层中留下空位。外延层中空位的增多能够促进杂质向下扩散，提高杂质向下扩散的浓度与深度，减小扩散温度和扩散时间，提高器件的可靠性，降低生产成本。
其他摘要	本发明公开了一种半导体激光器非吸收窗口及其制备方法和半导体激光器，该制备方法包括：在半导体激光器晶圆的待扩散区域生长扩散源；对生长有扩散源的晶圆在包含射频电场、砷气氛及轰击离子的环境中退火，形成非吸收窗口。通过实施本发明，在射频电场的作用下，轰击离子会轰击晶圆片表面，在无保护层的扩散源内部产生空位缺陷，富As的环境有利于外延层中的Ga、Al原子向扩散源中扩散，并在扩散源内部同As原子相结合，同时在外延层中留下空位。外延层中空位的增多能够促进杂质向下扩散，提高杂质向下扩散的浓度与深度，减小扩散温度和扩散时间，提高器件的可靠性，降低生产成本。
申请日期	2019-04-12
专利号	CN110086080A
专利状态	申请中
申请号	CN201910297033.X
公开（公告）号	CN110086080A
IPC 分类号	H01S5/022 \| H01S5/34
专利代理人	罗啸
代理机构	北京三聚阳光知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/72537
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	苏州长光华芯光电技术有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	程洋,王俊,赵智德,等. 半导体激光器非吸收窗口及其制备方法和半导体激光器. CN110086080A[P]. 2019-08-02.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN110086080A.PDF（635KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文