Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半导体激光器件及其制造方法 | |
| 其他题名 | 半导体激光器件及其制造方法 |
| 车正浩; 金圣九; 申东宰; 申庸确; 河镜虎 | |
| 2019-07-26 | |
| 专利权人 | 三星电子株式会社 |
| 公开日期 | 2019-07-26 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 一种半导体激光器件包括：在基底上的第一包覆层，包括氮化镓(GaN)；在第一包覆层上的光波导；顺序地堆叠在光波导上第一接触图案、第一SCH图案、第一有源图案、第二SCH图案、第二包覆层和第二接触图案；以及分别在第一接触图案和第二接触图案上的第一电极和第二电极。 |
| 其他摘要 | 一种半导体激光器件包括：在基底上的第一包覆层，包括氮化镓(GaN)；在第一包覆层上的光波导；顺序地堆叠在光波导上第一接触图案、第一SCH图案、第一有源图案、第二SCH图案、第二包覆层和第二接触图案；以及分别在第一接触图案和第二接触图案上的第一电极和第二电极。 |
| 申请日期 | 2018-12-20 |
| 专利号 | CN110061418A |
| 专利状态 | 申请中 |
| 申请号 | CN201811563837.1 |
| 公开（公告）号 | CN110061418A |
| IPC 分类号 | H01S5/024 | H01S5/042 | H01S5/223 |
| 专利代理人 | 倪斌 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/72527 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三星电子株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 车正浩,金圣九,申东宰,等. 半导体激光器件及其制造方法. CN110061418A[P]. 2019-07-26. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN110061418A.PDF（1167KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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