一种垂直腔面发射激光器及其制作方法

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	一种垂直腔面发射激光器及其制作方法
其他题名	一种垂直腔面发射激光器及其制作方法
	葛永晖; 刘旺平; 曹阳; 王群; 吕蒙普; 胡加辉; 李鹏
	2019-05-21
专利权人	华灿光电(浙江)有限公司
公开日期	2019-05-21
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明公开了一种垂直腔面发射激光器及其制作方法，属于半导体技术领域。所述垂直腔面发射激光器包括衬底、下反射层、发光区、上反射层、上金属电极和下金属电极，所述下反射层、所述发光区、所述上反射层和所述上金属电极依次层叠在所述衬底的第一表面上，所述下金属电极设置在所述衬底的第二表面上，所述衬底的第二表面与所述衬底的第一表面相对，所述下反射层包括依次层叠的多个硼烯薄膜。本发明通过将下反射层从DBR结构改为依次层叠的多个硼烯薄膜，具有99％以上的反射率和几乎为0的吸光率，作用的波长范围覆盖从红外光到紫外光的整个波段，可以有效增强底部的反光效果，提高VCSEL的正面出光效率。
其他摘要	本发明公开了一种垂直腔面发射激光器及其制作方法，属于半导体技术领域。所述垂直腔面发射激光器包括衬底、下反射层、发光区、上反射层、上金属电极和下金属电极，所述下反射层、所述发光区、所述上反射层和所述上金属电极依次层叠在所述衬底的第一表面上，所述下金属电极设置在所述衬底的第二表面上，所述衬底的第二表面与所述衬底的第一表面相对，所述下反射层包括依次层叠的多个硼烯薄膜。本发明通过将下反射层从DBR结构改为依次层叠的多个硼烯薄膜，具有99％以上的反射率和几乎为0的吸光率，作用的波长范围覆盖从红外光到紫外光的整个波段，可以有效增强底部的反光效果，提高VCSEL的正面出光效率。
申请日期	2018-12-28
专利号	CN109787085A
专利状态	申请中
申请号	CN201811625800.7
公开（公告）号	CN109787085A
IPC 分类号	H01S5/183
专利代理人	徐立
代理机构	北京三高永信知识产权代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/72464
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	华灿光电(浙江)有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	葛永晖,刘旺平,曹阳,等. 一种垂直腔面发射激光器及其制作方法. CN109787085A[P]. 2019-05-21.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN109787085A.PDF（322KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文