Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半导体激光元件 | |
| 其他题名 | 半导体激光元件 |
| 井上知也 | |
| 2019-04-30 | |
| 专利权人 | 夏普株式会社 |
| 公开日期 | 2019-04-30 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 本发明提供使高温动作时及大输出动作时的功率转换效率提升的半导体激光元件。半导体激光元件(1)具备在n型基板(12)上依序层叠有n型包层(2)、多重量子阱活性层(3)以及p型包层(41)，在该半导体层叠部的上部具备条纹结构。n型包层(2)包括：由Alx1Ga1‑x1As(0.4x2Ga1‑x2)1‑y2Iny2P(0≦x2≦1，0.45≦y2≦0.55)构成的第二n型包层(22)。p型包层(41)由(Alx3Ga1‑x3)1‑y3Iny3P(0≦x3≦1，0.45≦y3≦0.55)构成。条纹结构的宽度为10μm以上，且第一n型包层(21)的相对于激光振荡波长的折射率为第二n型包层(22)的相对于激光振荡波长的折射率以下。 |
| 其他摘要 | 本发明提供使高温动作时及大输出动作时的功率转换效率提升的半导体激光元件。半导体激光元件(1)具备在n型基板(12)上依序层叠有n型包层(2)、多重量子阱活性层(3)以及p型包层(41)，在该半导体层叠部的上部具备条纹结构。n型包层(2)包括：由Alx1Ga1‑x1As(0.4 |
| 申请日期 | 2018-10-23 |
| 专利号 | CN109698466A |
| 专利状态 | 申请中 |
| 申请号 | CN201811238570.9 |
| 公开（公告）号 | CN109698466A |
| IPC 分类号 | H01S5/343 |
| 专利代理人 | 汪飞亚 | 习冬梅 |
| 代理机构 | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/72445 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 夏普株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 井上知也. 半导体激光元件. CN109698466A[P]. 2019-04-30. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN109698466A.PDF（1123KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
| 个性服务 |
| 推荐该条目 |
| 保存到收藏夹 |
| 查看访问统计 |
| 导出为Endnote文件 |
| 谷歌学术 |
| 谷歌学术中相似的文章 |
| [井上知也]的文章 |
| 百度学术 |
| 百度学术中相似的文章 |
| [井上知也]的文章 |
| 必应学术 |
| 必应学术中相似的文章 |
| [井上知也]的文章 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论