垂直腔面发射激光器及其制作方法

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	垂直腔面发射激光器及其制作方法
其他题名	垂直腔面发射激光器及其制作方法
	李伟; 刘素平; 马骁宇
	2019-04-23
专利权人	中国科学院半导体研究所
公开日期	2019-04-23
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	一种垂直腔面发射激光器及其制作方法，垂直腔面发射激光器包括：一外延结构，该外延结构自下而上包含：N面电极、N型衬底、N型DBR、有源区、以及P型DBR；多个台面结构，由该外延结构表面向下刻蚀至N型DBR表面或内部一设定深度得到；其中，多个台面结构沿着出光孔径轴线呈环形密堆积分布，在多个台面结构之间存在绝缘介质膜实现各个台面结构之间的电气隔离，该绝缘介质膜的光学厚度为四分之一波长奇数倍；多个台面结构之间通过覆盖于绝缘介质膜之上的P面电极实现交相互连和电流注入。能够同时实现大口径范围内光功率密度均匀分布、输出模式稳定、和高质量光束输出，且与现有垂直腔面发射激光器制备工艺兼容，制备工艺简单、重复性好及成本低。
其他摘要	一种垂直腔面发射激光器及其制作方法，垂直腔面发射激光器包括：一外延结构，该外延结构自下而上包含：N面电极、N型衬底、N型DBR、有源区、以及P型DBR；多个台面结构，由该外延结构表面向下刻蚀至N型DBR表面或内部一设定深度得到；其中，多个台面结构沿着出光孔径轴线呈环形密堆积分布，在多个台面结构之间存在绝缘介质膜实现各个台面结构之间的电气隔离，该绝缘介质膜的光学厚度为四分之一波长奇数倍；多个台面结构之间通过覆盖于绝缘介质膜之上的P面电极实现交相互连和电流注入。能够同时实现大口径范围内光功率密度均匀分布、输出模式稳定、和高质量光束输出，且与现有垂直腔面发射激光器制备工艺兼容，制备工艺简单、重复性好及成本低。
申请日期	2019-02-22
专利号	CN109672087A
专利状态	申请中
申请号	CN201910132184.X
公开（公告）号	CN109672087A
IPC 分类号	H01S5/183
专利代理人	任岩
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/72441
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院半导体研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	李伟,刘素平,马骁宇. 垂直腔面发射激光器及其制作方法. CN109672087A[P]. 2019-04-23.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN109672087A.PDF（1378KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文