空间重叠多电极控制VCSEL列阵

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	空间重叠多电极控制VCSEL列阵
其他题名	空间重叠多电极控制VCSEL列阵
	王俊; 谭少阳; 荣宇峰
	2019-03-12
专利权人	苏州长光华芯光电技术有限公司
公开日期	2019-03-12
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明提供一种空间重叠多电极控制VCSEL列阵，其包括：第一发光芯片以及与第一发光芯片同步或者异步工作的第二发光芯片；第一发光芯片和第二发光芯片位于衬底层的正面，任一发光芯片包括自上而下依次层叠设置的：上DBR层、有源层以及下DBR层，第一发光芯片具有与其上DBR层电连接的第一电极，第二发光芯片具有与其上DBR层电连接的第二电极，第一电极和第二电极之间设置有第一绝缘层，衬底层的背面还设置有背电极。本发明通过设置可同步或者异步工作第一发光芯片和第二发光芯片，可实现光强度的调节，且有利于节约能源。同时，本发明通过对第一发光芯片和第二发光芯片的排布进行优化设置，有利于独立或组合实现均匀发光。
其他摘要	本发明提供一种空间重叠多电极控制VCSEL列阵，其包括：第一发光芯片以及与第一发光芯片同步或者异步工作的第二发光芯片；第一发光芯片和第二发光芯片位于衬底层的正面，任一发光芯片包括自上而下依次层叠设置的：上DBR层、有源层以及下DBR层，第一发光芯片具有与其上DBR层电连接的第一电极，第二发光芯片具有与其上DBR层电连接的第二电极，第一电极和第二电极之间设置有第一绝缘层，衬底层的背面还设置有背电极。本发明通过设置可同步或者异步工作第一发光芯片和第二发光芯片，可实现光强度的调节，且有利于节约能源。同时，本发明通过对第一发光芯片和第二发光芯片的排布进行优化设置，有利于独立或组合实现均匀发光。
申请日期	2018-12-29
专利号	CN109462146A
专利状态	申请中
申请号	CN201811643652.1
公开（公告）号	CN109462146A
IPC 分类号	H01S5/40 \| H01S5/42 \| H01S5/042
专利代理人	杨淑霞
代理机构	苏州国诚专利代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/72397
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	苏州长光华芯光电技术有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	王俊,谭少阳,荣宇峰. 空间重叠多电极控制VCSEL列阵. CN109462146A[P]. 2019-03-12.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN109462146A.PDF（231KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文