外腔面光源VCSEL及其应用

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	外腔面光源VCSEL及其应用
其他题名	外腔面光源VCSEL及其应用
	王俊; 刘恒; 谭少阳; 闵大勇
	2019-03-08
专利权人	苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
公开日期	2019-03-08
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明提供一种外腔面光源VCSEL及其应用，其中，所述外腔面光源VCSEL包括：面光源以及位于所述面光源出光侧的透镜；所述面光源包括：‑N面电极、衬底层、外延层、‑P面电极，所述‑P面电极、外延层、衬底层、‑N面电极自上而下依次层叠设置，所述‑P面电极包括：上DBR结构、有源层结构以及下DBR结构，所述上DBR结构、有源层结构以及下DBR结构自上而下依次层叠设置，所述透镜的尺寸与所述面光源的发光面积相对应，所述‑P面电极发出的光线经所述透镜的调节后均匀出射。本发明的外腔面光源VCSEL利用透镜对光束的调节作用，将高阶模光束转化为低阶模光束，进而降低光束发散角，减小带宽。
其他摘要	本发明提供一种外腔面光源VCSEL及其应用，其中，所述外腔面光源VCSEL包括：面光源以及位于所述面光源出光侧的透镜；所述面光源包括：‑N面电极、衬底层、外延层、‑P面电极，所述‑P面电极、外延层、衬底层、‑N面电极自上而下依次层叠设置，所述‑P面电极包括：上DBR结构、有源层结构以及下DBR结构，所述上DBR结构、有源层结构以及下DBR结构自上而下依次层叠设置，所述透镜的尺寸与所述面光源的发光面积相对应，所述‑P面电极发出的光线经所述透镜的调节后均匀出射。本发明的外腔面光源VCSEL利用透镜对光束的调节作用，将高阶模光束转化为低阶模光束，进而降低光束发散角，减小带宽。
申请日期	2018-12-29
专利号	CN109449751A
专利状态	申请中
申请号	CN201811633018
公开（公告）号	CN109449751A
IPC 分类号	H01S5/06 \| H01S5/183 \| G01S7/481 \| F21K9/23 \| F21K9/69 \| F21Y115/30
专利代理人	杨淑霞
代理机构	苏州国诚专利代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/72391
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	王俊,刘恒,谭少阳,等. 外腔面光源VCSEL及其应用. CN109449751A[P]. 2019-03-08.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN109449751A.PDF（281KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文