| 负微分迁移率和碰撞电离对GaAs光导开关非线性特性的影响 | |
张同意 ; 石顺祥; 赵卫; 龚仁喜; 孙艳玲
| |
| 作者部门 | 瞬态光学国家重点实验室 |
| 2002 | |
| 发表期刊 | 光子学报
 |
| ISSN | 1004-4213 |
| 卷号 | 31期号:4页码:445-449 |
| 学科领域 | 光学 |
| 收录类别 | EI |
| 文献类型 | 期刊论文 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/7170 |
| 专题 | 瞬态光学研究室 |
| 通讯作者 | 张同意 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张同意,石顺祥,赵卫,等. 负微分迁移率和碰撞电离对GaAs光导开关非线性特性的影响[J]. 光子学报,2002,31(4):445-449. |
| APA | 张同意,石顺祥,赵卫,龚仁喜,&孙艳玲.(2002).负微分迁移率和碰撞电离对GaAs光导开关非线性特性的影响.光子学报,31(4),445-449. |
| MLA | 张同意,et al."负微分迁移率和碰撞电离对GaAs光导开关非线性特性的影响".光子学报 31.4(2002):445-449. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| 1059-负微分迁移率和碰撞电离对GaA（216KB） | 限制开放 | -- | 请求全文 | |||
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