Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レーザ及びその製造方法 | |
| 其他题名 | 半導体レーザ及びその製造方法 |
| 紀川 健 | |
| 2001-02-16 | |
| 专利权人 | HITACHI LTD |
| 公开日期 | 2001-02-16 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】 従来の高出力半導体レーザで、特に赤色系高出力半導体レーザでは、定光出力連続動作に伴って急速に水素化非晶質硅素薄膜の劣化が生じ、十分な寿命時間を有する高信頼な高屈折率膜を得ることができなかった。 【解決手段】 水素化非晶質硅素薄膜を成膜する際に、反応プラズマ中に活性な水素ラジカル線、若しくは水素イオン線を照射する。 【効果】 Si-H結合の濃度が増大し、光学的バンドギャップが拡大し、バンドの裾が殆ど引かない水素化非晶質硅素膜が形成可能となり、高出力半導体レーザにおいて長寿命,高信頼な高反射率膜を容易な方法で実現でき、歩留まり向上,低コスト化が達成できる。 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：即使在长期操作之后也几乎不增加工作电流并且通过其中氢化非晶硅薄膜之间具有Si-Hn键和Si-H键的方法提高长寿命的可靠性，以及氢化非晶硅薄膜中包含的特定量的氢原子在其中形成Si-H键。解决方案：在半导体激光器的谐振器40的一端的前向发射面（Z = 0）上提供低折射率反射（AR）膜20，并且在一个上提供高反射率（HR）23。另一端的后向发射面（Z = L）。高反射率（HR）23构造成周期性地层压氧化硅（SiO 2）膜21和a-Si：H膜（非晶膜）22。当制造a-Si：H膜22时，它是用氢自由基或氢离子照射，并且在非晶膜中的Si-Hn（n> = 2）键和Si-H键中，非晶膜中包含的80％或更高的氢原子形成Si-H键。高反射率23的反射率为95％。 |
| 申请日期 | 1999-07-29 |
| 专利号 | JP2001044556A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1999214470 |
| 公开（公告）号 | JP2001044556A |
| IPC 分类号 | H01S | H01S5/028 | H01S5/00 |
| 专利代理人 | 秋田 収喜 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71557 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | HITACHI LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 紀川 健. 半導体レーザ及びその製造方法. JP2001044556A[P]. 2001-02-16. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP2001044556A.PDF（58KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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