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半導体レーザ装置
其他题名半導体レーザ装置
後藤 壮謙; 井上 泰明; 森 和思; 田尻 敦志
2000-04-07
专利权人SANYO ELECTRIC CO LTD
公开日期2000-04-07
授权国家日本
专利类型发明申请
摘要【課題】半導体レーザ素子から出射されたモニタ用のレーザ光がモニタ用光検出器に良好に入射し、半導体レーザ素子から出射されるレーザ光の光量制御を良好に行うことが出来る半導体レーザ装置を提供する。 【解決手段】ヒートシンク1に、半導体レーザ素子2と、該半導体レーザ素子2から出射されたモニタ用レーザ光B2を入射する受光面4aを備える光検出器4とが設けられた半導体レーザ装置において、ヒートシンク1の上部に該ヒートシンク1の上面1aよりも低い位置に底面61を有する段差部6を設け、該段差部6の底面61に半導体レーザ素子2を配置し、該半導体レーザ素子2のモニタ用レーザ光B2の出射部分が光検出器4の受光面4aよりも上方に位置していることを特徴とする。
其他摘要要解决的问题:提供一种半导体激光装置,其能够令人满意地控制从半导体激光装置发射的激光的光量并令人满意地进入监视光电探测器并监视从半导体激光装置发射的激光提供。 解决方案:在具有散热器1的半导体激光装置中,半导体激光元件2和光检测器4具有用于接收从半导体激光元件2发射的监视激光B2的光接收表面4a,在散热器1的上部设置有比散热器1的上表面1a低的位置的底面61的台阶部6,半导体激光元件2配置在台阶部6的底面61上,并且激光束B2的发射部分位于光电探测器4的光接收表面4a上方。
申请日期1998-09-21
专利号JP2000101182A
专利状态失效
申请号JP1998266607
公开(公告)号JP2000101182A
IPC 分类号H01S5/0683 | H01S5/024 | H01S5/00
专利代理人安富 耕二 (外1名)
代理机构-
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71478
专题半导体激光器专利数据库
作者单位SANYO ELECTRIC CO LTD
推荐引用方式
GB/T 7714
後藤 壮謙,井上 泰明,森 和思,等. 半導体レーザ装置. JP2000101182A[P]. 2000-04-07.
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JP2000101182A.PDF(28KB)专利 开放获取CC BY-NC-SA请求全文
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