Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 分布帰還型半導体レーザ | |
| 其他题名 | 分布帰還型半導体レーザ |
| 西谷 昭彦; 東盛 裕一 | |
| 1999-07-21 | |
| 专利权人 | 日本電信電話株式会社 |
| 公开日期 | 1999-07-21 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】分布帰還型半導体レーザにおいて、軸方向空間ホールバーニングが生じないようにする。 【解決手段】素子内部に利得結合型の回折格子層7を形成する。一方の端面に高反射膜13を他方の端面に反射防止膜12を形成する。回折格子層7は、共振器長方向で周期の異なる二つの領域を有し、高反射膜13面側の領域の周期C1を反射防止膜12面側の周期C2より長くする。回折格子層7は、また、共振器長方向でデューティ比の異なる二つの領域を有し、高反射膜13面側の領域のデューティ比(W1/C1)を反射防止膜12面側のデューティ比(W2/C2)より小さくする。 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：在分布反馈型半导体激光器中抑制轴向空间烧孔。解决方案：在元件内形成增益耦合类型的折射光栅层7。在一个端面上制作高反射膜13，在另一个端面上制作防反射膜12。折射光栅层7在谐振器的长度方向上具有两个周期不同的区域，并且使高反射膜13侧的区域中的周期C1比防反射膜侧的周期C2长。折射光栅层7还具有在谐振器的纵向上的占空比不同的两个区域，并且使高反射膜13侧的区域中的占空比（W1 / C1）小于占空比。反射防止膜12侧的比（W2 / C2）。 |
| 申请日期 | 1998-01-28 |
| 专利号 | JP1999195838A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1998015953 |
| 公开（公告）号 | JP1999195838A |
| IPC 分类号 | B61B13/00 | G05D1/02 | H01S5/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 森 哲也 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71420 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電信電話株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 西谷 昭彦,東盛 裕一. 分布帰還型半導体レーザ. JP1999195838A[P]. 1999-07-21. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1999195838A.PDF（51KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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