Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レーザ | |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 町田 豊稔 | |
| 1994-05-20 | |
| 专利权人 | 富士通株式会社 |
| 公开日期 | 1994-05-20 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【目的】 量子井戸型の活性層を有する半導体レーザに関し、伝導帯または価電子帯の量子井戸における離散的エネルギを有するキャリアの密度を実効的に増加させることのできる新規な量子井戸構造を含む活性層を備えた半導体レーザを提供することを目的とする。 【構成】 伝導帯または価電子帯の一方のみに量子井戸を形成する不対量子井戸層と、該不対量子井戸層と近接して配置され、伝導帯および価電子帯に対になった量子井戸を形成する対量子井戸層であって、前記不対量子井戸と対量子井戸とがトンネル結合した対量子井戸層とを含む。 |
| 其他摘要 | 本发明涉及具有量子阱有源层的半导体激光器和包括新型量子阱结构的半导体激光器，该量子阱结构能够有效地增加在导带或价带量子阱中具有离散能量的载流子的密度。以及提供有这种半导体激光器的半导体激光器。 不成对的量子阱层，其仅在导带和价带中的一个中形成量子阱;以及量子阱层，其设置在非成对的量子阱层附近并且与导带和价带配对量子阱层形成阱并且包括通过隧穿未配对的量子阱和量子阱而形成的量子阱层和量子阱层。 |
| 申请日期 | 1992-10-28 |
| 专利号 | JP1994140713A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1992290001 |
| 公开（公告）号 | JP1994140713A |
| IPC 分类号 | H01S5/343 | H01S5/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 高橋 敬四郎 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71152 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士通株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 町田 豊稔. 半導体レーザ. JP1994140713A[P]. 1994-05-20. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1994140713A.PDF（45KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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