Distributed-feedback semiconductor laser

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	Distributed-feedback semiconductor laser
其他题名	Distributed-feedback semiconductor laser
	MARUTANI YUKITOSHI; DOI MASATO
	1992-11-12
专利权人	SONY CORP
公开日期	1992-11-12
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	PURPOSE:To dominantly generate a gain-coupled type distributed feedback in a distributed-feedback semiconductor laser. CONSTITUTION:A recessed and protruding diffraction grating constitution in which grooves extended along a specific crystal orientation have been arranged and formed in parallel on a first guide layer 3 formed on a 100 crystal plane for a semiconductor substrate is formed. At least a second guide layer 5 and an active layer 6 are formed on its recessed and protruding face; the active layer 6 which is separated inside recessed parts or in which recessed parts or protruding parts are separated from each other is arranged.
其他摘要	目的：在分布反馈半导体激光器中主要产生增益耦合型分布式反馈。组成：一个凹进和凸出的衍射光栅结构，其中沿着特定的晶体取向延伸的凹槽已经被排列并平行地形成在形成于半导体衬底的100晶面上的第一引导层3上。在其凹进和突出面上形成至少第二引导层5和有源层6;在凹陷部分内部分离或者凹陷部分或突出部分彼此分离的有源层6被布置。
申请日期	1991-04-22
专利号	JP1992322485A
专利状态	失效
申请号	JP1991090814
公开（公告）号	JP1992322485A
IPC 分类号	H01S5/00 \| H01S5/12 \| H01S3/18
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71052
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	SONY CORP
推荐引用方式 GB/T 7714	MARUTANI YUKITOSHI,DOI MASATO. Distributed-feedback semiconductor laser. JP1992322485A[P]. 1992-11-12.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1992322485A.PDF（110KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文