Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| Semiconductor laser | |
| 其他题名 | Semiconductor laser |
| MATSUMOTO KENJI; KINOSHITA JUNICHI | |
| 1989-04-28 | |
| 专利权人 | TOSHIBA CORP |
| 公开日期 | 1989-04-28 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | PURPOSE:To reduce a capacitance value by a method wherein a current-blocking layer (a p-n junction) occupying the majority of the capacitance value of a device is removed except a mesa part and a bonding pad part. CONSTITUTION:A current-blocking layer is composed of a semiconductor layer 5 with a high resistivity value and of a semiconductor layer 6 whose resistivity value is lower than that of the layer; an electrode 8 is formed directly on the semiconductor layer on the side of a growth layer; the electrode 8 in a region near an active layer 2 and other than a bonding pad 11 and the semiconductor layer 6 whose resistivity value is low in the current-blocking layer are removed. Accordingly, even when the current-blocking layer is removed down to the blocking layer 5 so as to remove the blocking layer 6, a junction capacitance value is decided substantially by an area of the blocking layer 6. By this setup, the capacitance value can be reduced. |
| 其他摘要 | 用途：通过一种方法减小电容值，其中除了台面部分和焊盘部分之外，除去占据器件的大部分电容值的电流阻挡层（p-n结）。组成：电流阻挡层由具有高电阻率值的半导体层5和电阻率值低于该层的半导体层6组成;电极8直接形成在生长层一侧的半导体层上;除去接合焊盘11附近的区域中的电极8和电流阻挡层中电阻率值低的半导体层6被去除。因此，即使当电流阻挡层向下移除到阻挡层5以去除阻挡层6时，结电容值也基本上由阻挡层6的面积决定。通过这种设置，电容值可以减少。 |
| 申请日期 | 1987-10-26 |
| 专利号 | JP1989111393A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1987268294 |
| 公开（公告）号 | JP1989111393A |
| IPC 分类号 | H01S5/00 | H01S5/042 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | - |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/70800 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | TOSHIBA CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | MATSUMOTO KENJI,KINOSHITA JUNICHI. Semiconductor laser. JP1989111393A[P]. 1989-04-28. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1989111393A.PDF（212KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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