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面発光レーザ、面発光レーザアレイ、光走査装置及び画像形成装置
其他题名面発光レーザ、面発光レーザアレイ、光走査装置及び画像形成装置
伊藤 彰浩; 軸谷 直人; 佐藤 俊一
2016-04-28
专利权人株式会社リコー
公开日期2016-05-25
授权国家日本
专利类型授权发明
摘要(修正有) 【課題】単一横モードで、偏光方向が安定している、高出力面発光レーザを提供する。 【解決手段】基板111上に下部DBR層112と活性層114と上部DBR層115を形成し、前記活性層及び前記上部DBR層に形成したメサ130と、中央部分に開口部を有する上部電極118と、前記基板の裏面に形成された下部電極119とを有する面発光レーザにおいて、前記開口部内における光強度プロファイルのうち、基本横モード光のプロファイルの高い強度を示す領域である光出力中心部を含む第1の領域151と、前記開口部内における前記第1の領域以外の領域となる第2の領域152と、を有し、前記第1の領域は、前記光出力中心部と、前記光出力中心部から外側に突出する3つ以上の凸部151bを有し、前記第1の領域の反射率よりも前記第2の領域の反射率が高くなるように、前記第1の領域または前記第2の領域の少なくともいずれか一方に誘電体層を形成する。 【選択図】図9
其他摘要要解决的问题:提供一种高输出的表面发射激光器,其偏振方向在单横向模式下是稳定的。解决方案:表面发射激光器,其具有形成在基板111上的下DBR层112,有源层114和上DBR层115,形成在有源层和上DBR层上的台面130,具有上电极118在中心部分处的开口和形成在基板的反面上的下电极119具有:第一区域151,其包括光输出中心部分,作为示出基本横向模式光的轮廓的高强度的区域。开口处的光强度分布;第二区域152作为开口中除第一区域以外的区域,其中第一区域具有光输出中心部分和从光输出中心部分向外突出的三个或更多个突起151b。在第一区域和第二区域中的至少一个中形成介电层,使得第二区域具有比第一区域更高的反射率。
申请日期2011-03-17
专利号JP5923861B2
专利状态授权
申请号JP2011059136
公开(公告)号JP5923861B2
IPC 分类号H01S5/183 | H01S5/42 | B41J2/47
专利代理人伊東 忠彦
代理机构-
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/70091
专题半导体激光器专利数据库
作者单位株式会社リコー
推荐引用方式
GB/T 7714
伊藤 彰浩,軸谷 直人,佐藤 俊一. 面発光レーザ、面発光レーザアレイ、光走査装置及び画像形成装置. JP5923861B2[P]. 2016-04-28.
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