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半導体レーザ装置および光ピックアップ装置
其他题名半導体レーザ装置および光ピックアップ装置
吉田 洋平; 田中 智毅
2008-08-28
专利权人シャープ株式会社
公开日期2008-08-28
授权国家日本
专利类型发明申请
摘要【課題】半導体レーザ素子から発生する熱を放熱し易くし、半導体レーサ素子の発光特性を良好に維持できるようにすることであり、併せて、半導体レーザ素子を機器に組み込む際の操作がしやすく、将来の小型化対応が可能となること。 【解決手段】 本体1と、円盤形または半円盤形で、本体1に支持され、その支持位置を中心軸のまわりに回転調整可能なステム2と、このステム上に直接またはサブマウント3を介して装着され、レーザ光を装着面4に平行に放射する半導体レーザ素子5と、ステム2上に装着または一体に形成され、放射されたレーザ光を反射して外部に放出するミラー部6とを備えた半導体レーザ素子装置L。 【選択図】図1A
其他摘要要解决的问题:为了便于散发半导体激光器件产生的热量,以便很好地保持半导体激光器件的发光特性,并在将半导体激光器件结合到器件中并应对未来时执行简单的操作小型化。 ŽSOLUTION:包括主体1,盘状或半盘状的系统2的半导体激光装置L由主体1支撑,并且其支撑位置围绕中心轴可旋转地调节,半导体激光装置5直接在系统上安装或通过子底座3并与安装表面4平行地照射激光束,以及安装在系统2上或与其整体形成并反射反射的激光束并释放它的镜子部分6到外面。 Ž
申请日期2007-02-15
专利号JP2008198934A
专利状态授权
申请号JP2007035002
公开(公告)号JP2008198934A
IPC 分类号G11B7/125 | H01S5/022
专利代理人野河 信太郎
代理机构-
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/69962
专题半导体激光器专利数据库
作者单位シャープ株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
吉田 洋平,田中 智毅. 半導体レーザ装置および光ピックアップ装置. JP2008198934A[P]. 2008-08-28.
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JP2008198934A.PDF(885KB)专利 开放获取CC BY-NC-SA请求全文
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