Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レーザ装置 | |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 志水 雄三; 楠原 豊典; 黒田 俊宏; 古川 大介 | |
| 2008-06-26 | |
| 专利权人 | 松下電器産業株式会社 |
| 公开日期 | 2008-06-26 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】半導体LDから出射される光に基づいて半導体LDの発光パワーを制御する半導体レーザ装置において、安定して半導体LDの発光パワーを制御することが可能な半導体レーザ装置を提供する。 【解決手段】後方に異なる波長の後方出射光105および107を出射すると共に前方に光を出射する半導体LD104と、後方出射光105および107が入射され、後方出射光105および107を光電変換する受光部103を有する半導体基板101と、後方出射光105および107が入射される受光部103表面に位置する反射防止膜109とを備え、反射防止膜109の膜厚は、後方出射光105が入射する部分と、後方出射光107が入射する部分とで異なる。 【選択図】図1 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：提供一种能够稳定地控制半导体激光器件中的半导体LD的发光功率的半导体激光器件，用于基于从半导体LD发射的光来控制半导体LD的发光功率。 解决方案：半导体LD 104在向后方向上发射不同波长的向后发射光105和107并向前发光，并且后输出光105和107的光接收光电转换部分103和位于光接收部分103的表面上的防反射膜109，后向出射光105和107入射在该表面上，并且防反射膜109的膜厚度使得向后出射光105入射在半导体基板101上部分和后输出光107入射的部分是不同的。 点域1 |
| 申请日期 | 2006-12-06 |
| 专利号 | JP2008147250A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP2006329739 |
| 公开（公告）号 | JP2008147250A |
| IPC 分类号 | G11B7/125 | H01S5/022 | H01S5/0683 | H01S5/00 |
| 专利代理人 | 新居 広守 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/69957 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電器産業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 志水 雄三,楠原 豊典,黒田 俊宏,等. 半導体レーザ装置. JP2008147250A[P]. 2008-06-26. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP2008147250A.PDF（122KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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