半導体レーザ装置

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	半導体レーザ装置
其他题名	半導体レーザ装置
	田中明
	2005-09-22
专利权人	TOSHIBA CORP
公开日期	2005-09-22
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】共振器長が伸長しても、レーザ光の出力特性の悪化を防ぎ、長寿命化が可能な半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】半導体レーザ素子11と、半導体レーザ素子11の共振器伸長方向寸法と同程度の長さと、半導体レーザ素子11を搭載できる幅とを有する第1主面と、この第1主面と相対向する第2主面と、長さ方向に垂直且つ幅方向に平行で、幅方向両端部が開放且つ第2主面上に開放された複数の溝15とを有するサブマウント14と、サブマウント14を搭載する搭載面を有するヒートブロック17とを備えて、半導体レーザ素子11の共振器伸長方向とサブマウント14の長さ方向が合わされて、半導体レーザ素子11とサブマウント14の第1主面とは接合材を介して固定され、サブマウント14の第2主面とヒートブロック17の搭載面とは接合材を介して固定されている。【選択図】図2
其他摘要	要解决的问题：提供一种半导体激光器件，即使谐振器长度延长，也能够防止激光输出特性的恶化并延长寿命。半导体激光元件11，第一主表面，其长度近似等于半导体激光元件11在谐振器延伸方向上的尺寸，以及能够安装半导体激光元件11的宽度，以及第一主表面具有彼此相对的第二主表面的基座14，以及与长度方向垂直并且平行于宽度方向的多个凹槽15和两个宽度方向的端部在第二主表面上敞开和敞开，并且，具有安装表面的加热块17，其上安装有安装件14，并且半导体激光器件11的谐振器延伸方向和基座14的长度方向对准，并且半导体激光器件11的第一主体和基座14是表面通过粘合材料固定，并且基座14的第二主表面和加热块17的安装表面通过粘合材料固定。 [选择图]图2
申请日期	2004-03-10
专利号	JP2005259851A
专利状态	失效
申请号	JP2004066992
公开（公告）号	JP2005259851A
IPC 分类号	H01S \| H01S5/022 \| G11B7/125 \| G11B
专利代理人	堀口浩
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/69836
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	TOSHIBA CORP
推荐引用方式 GB/T 7714	田中明. 半導体レーザ装置. JP2005259851A[P]. 2005-09-22.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP2005259851A.PDF（91KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文