Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レーザ装置及びその製造方法 | |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
| 塩本 武弘; 本多 正行 | |
| 2002-10-25 | |
| 专利权人 | シャープ株式会社 |
| 公开日期 | 2002-10-25 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】ヘッダー部におけるサイドビームの反射が光ピックアップの諸特性に悪影響を及ぼすといったことのない、しかも生産性に優れた半導体レーザ装置及びその製造方法を提供することを目的とする。 【解決手段】レーザビームLを出射するレーザチップ4が載置されたヘッダー部3の先端面32であって、反射±1次ビームより生じ光学系を経て帰還する2つのサイドビームLS1,LS2のうちヘッダー部3に向かって帰還するサイドビームLS2が入射してくるサイドビーム入射領域35に、該サイドビームLS2を光学系外に向けて反射する反射体7を取り付た。 |
| 其他摘要 | 要解决的问题提供一种半导体激光器件，其通过在集管部分中反射侧光束而不会对光学拾取器的特性产生不利影响，并且具有优异的生产率及其制造方法。 解决方案：在头部3的远端表面32处从反射的正或负第一光束返回的两个侧光束L ，其上放置用于发射激光束L的激光芯片4，在子光束S1 和L S2 中朝向头部3返回的侧光束L S2 安装了用于将光束L S2 反射到光学系统外部的反射器7。 |
| 申请日期 | 2001-04-11 |
| 专利号 | JP2002314185A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP2001112770 |
| 公开（公告）号 | JP2002314185A |
| IPC 分类号 | G11B7/09 | H01S5/022 | G11B7/125 |
| 专利代理人 | 倉内 義朗 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/69638 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 塩本 武弘,本多 正行. 半導体レーザ装置及びその製造方法. JP2002314185A[P]. 2002-10-25. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP2002314185A.PDF（45KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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