Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体発光装置およびその製造方法 | |
| 其他题名 | 半導体発光装置およびその製造方法 |
| 河角 孝行 | |
| 2002-09-13 | |
| 专利权人 | SONY CORP |
| 公开日期 | 2002-09-13 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】複数個の半導体発光素子を搭載する半導体発光装置においていずれのエッチングストップ層の結晶性を悪化させることなく工程を簡略化して製造可能である半導体発光装置とその製造方法を提供する。 【解決手段】第1半導体発光素子LD1となる第1クラッド層12、第1活性層14および第2クラッド層(16,18)を積層させた第1積層体ST1と、第2半導体発光素子LD2となる第3クラッド層21、第2活性層23および第4クラッド層(25,27)を積層させた第2積層体ST2とにおいて、第1クラッド層および第2クラッド層と、第3クラッド層および第4クラッド層は、V族元素が互いに異なる材料からなっており、第2クラッド層と第4クラッド層内にV族元素が共通の材料からなるエッチングストップ層(17’26)がそれぞれ形成されている構成とする。 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：提供可以通过简化工艺制造的半导体发光设备，而不会降低安装多个半导体发光器件的半导体发光设备中的任何蚀刻停止层的可结晶性，并提供制造半导体发光设备的方法。解决方案：在第一层压板ST1中，其中第一包层12成为第一半导体发光装置，第一有源层14和第二包层（16和18）层叠，第二层压板ST2，其中第三包层层叠成为第二半导体发光器件LD2的层21，第二有源层23和第四包层（25和27），第一和第二包层以及第三和第四包层由组中的材料制成V元件彼此不同，分别在第二和第四包层中形成蚀刻停止层（17'和26），其中V族元素由普通材料制成。 |
| 申请日期 | 2001-03-02 |
| 专利号 | JP2002261397A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP2001058886 |
| 公开（公告）号 | JP2002261397A |
| IPC 分类号 | H01S5/026 | H01S5/40 | G11B7/125 |
| 专利代理人 | 佐藤 隆久 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/69624 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SONY CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 河角 孝行. 半導体発光装置およびその製造方法. JP2002261397A[P]. 2002-09-13. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP2002261397A.PDF（132KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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