Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レーザ装置およびその製造方法 | |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
| 田尻 敦志 | |
| 2002-08-16 | |
| 专利权人 | 三洋電機株式会社 |
| 公开日期 | 2002-08-16 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】 ピットの検出の際の分解能が高くピット情報の解像度が良好でありS/Nの向上を図ることが可能な複数の発光点を有する半導体レーザ装置およびその製造方法を提供することである。 【解決手段】 半導体レーザ素子100は、n-GaN基板1の一方の面上に第1の半導体レーザ素子10が形成され、n-GaN基板1の他方の面に第2の半導体レーザ素子20が形成されてなる。第1および第2の半導体レーザ素子10,20は、n-クラッド層11,21、MQW活性層12,22、p-クラッド層13,23、電流ブロック層14,24およびp-コンタクト層15,25が順に積層されてなる。第1および第2の半導体レーザ素子10,20のMQW活性層12,22に形成される発光点17,27は、MQW活性層12,22に平行な方向に長軸を有しかつ垂直な方向に短軸を有する楕円形状を有する。 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：提供具有多个发光点的半导体激光器，所述发光点具有用于凹坑检测的高分辨率和用于凹坑信息的良好分辨率，并且可以在S / N中得到改善。解决方案：半导体激光元件100通过在n型GaN衬底1的一个表面上形成第一激光元件10，在衬底1的另一个表面上形成第二半导体激光元件20构成。激光元件10和20分别由n型覆层11和21，MQW有源层12和22，p型覆层13和23，电流阻挡层14和24以及p型接触层15和25依次层叠在一起构成。这个命令。形成在MQW有源层12和22中的发光点17和27具有椭圆形状，其在平行于有源层12和22的方向上具有长轴，并且在垂直于方向的方向上具有短轴。 |
| 申请日期 | 2001-02-01 |
| 专利号 | JP2002232078A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP2001025940 |
| 公开（公告）号 | JP2002232078A |
| IPC 分类号 | H01S5/22 | H01S5/323 | H01S5/343 | G11B7/125 |
| 专利代理人 | 福島 祥人 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/69613 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三洋電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 田尻 敦志. 半導体レーザ装置およびその製造方法. JP2002232078A[P]. 2002-08-16. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP2002232078A.PDF（76KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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