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半導体レーザ装置
其他题名半導体レーザ装置
竹川 浩
1997-07-15
专利权人シャープ株式会社
公开日期1997-07-15
授权国家日本
专利类型发明申请
摘要【課題】 従来構造によるキャップ内外で通気性を有する半導体レーザ装置は、製造工程が多い、自動化が困難という問題があった。 【解決手段】 ステム21のキャップ26との当接部分に、外部との通気性を持たせるための凹部を形成してなることを特徴とする。ここで、凹部1は例えば、キャップ26の周縁に沿って互いに略同距離離間されるよう、3個形成されている。
其他摘要要解决的问题:在不降低可操作性的情况下降低密封性,通过在阀杆与阀盖的接触部分形成具有渗透性的凹槽来干扰组装的自动化并降低组件的尺寸精度。解决方案:在杆21的接触部分处形成具有外部的帽26中的空间A的密封性的凹部1,以作为杆21与杆21的上表面的帽密封。三个凹部1是在帽26的周边边缘上形成并设置在彼此基本上相同距离的空间中。在圆周上具有三个凹槽1的圆的直径小于帽的周边边缘的圆的直径。如图26所示,只有设置在凹槽1的杆21的外边缘侧的端部形成为暴露在帽26的周缘之外。因此,在帽26的外部和外部提供渗透性以使其成为可能。可以获得在帽26中不发生冷凝的半导体激光器。
申请日期1995-12-28
专利号JP1997186406A
专利状态失效
申请号JP1995343069
公开(公告)号JP1997186406A
IPC 分类号H01S5/022 | H01L31/12 | G11B7/125 | H01S5/00 | H01S3/18
专利代理人梅田 勝
代理机构-
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/69316
专题半导体激光器专利数据库
作者单位シャープ株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
竹川 浩. 半導体レーザ装置. JP1997186406A[P]. 1997-07-15.
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