半導体レーザ装置

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	半導体レーザ装置
其他题名	半導体レーザ装置
	竹川浩; 小川勝
	2001-02-23
专利权人	シャープ株式会社
公开日期	2001-05-08
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	【目的】ステムをより小形にできるようにする。【構成】フォーカス信号等を検出する信号検出用フォトダイオード2a〜4bが、モニタ用フォトダイオード1eの両側に分割して存在する。よって、半導体レーザチップ1bをステム20aの中心に位置するようにセットしても、フォトダイオード2a〜4bが半導体レーザチップ1bの両側に存在することとなり、半導体レーザチップ1bから両側の信号検出用フォトダイオード2a〜4bまでの距離を短くできる。また、各フォトダイオード1e、2a〜4bの一体化により、更に短くできる。また、一体化フォトダイオードチップ1d上に半導体レーザチップ1b付のサブマウント1cを設けると、半導体レーザチップと各フォトダイオードとの位置関係を一定に保持できる。
其他摘要	目的：通过一种方法设计系统的小型化，其中用于监视的光电二极管布置在半导体激光器芯片的发射侧的相对侧，并且用于信号检测的光电二极管分开布置并设置在一个芯片上。组成：系统由半导体激光器1，用于跟踪光束生成的衍射光栅5，全息元件6，准直透镜7，物镜8等构成。用于监视的光电二极管1e设置在更靠近整体构成的光电二极管芯片1d的一部分的长边侧的位置处。用于检测聚焦信号，跟踪信号和再生信号的每个信号检测的光电二极管2a，2b，3a，3b，4a和4b分别设置在保持光电二极管1e的芯片1d的每一侧和两者之间的基座1c上。芯片1d的两侧。由此，可以将光电二极管等布置在一个芯片上，并且可以使整个系统小型化。
申请日期	1992-10-12
专利号	JP3163184B2
专利状态	失效
申请号	JP1992273127
公开（公告）号	JP3163184B2
IPC 分类号	H01L \| H01S5/026 \| H01S \| G11B7/135 \| H01L31/12 \| G11B7/125 \| H01S5/00 \| G11B
专利代理人	小池隆彌 (外1名)
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/69208
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	シャープ株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	竹川浩,小川勝. 半導体レーザ装置. JP3163184B2[P]. 2001-02-23.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP3163184B2.PDF（33KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文