半导体器件和包括该半导体器件的半导体器件封装

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	半导体器件和包括该半导体器件的半导体器件封装
其他题名	半导体器件和包括该半导体器件的半导体器件封装
	吴炫智; 金炳祚; 崔洛俊
	2018-06-01
专利权人	LG伊诺特有限公司
公开日期	2018-06-01
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	公开了一种半导体器件以及包括该半导体器件的半导体器件封装。该器件包括发光结构，其包括：具有铝的第一半导体层；具有铝的第二半导体层；具有铝并且设置在第一和第二半导体层之间的有源层；在第二半导体层中展示的强度范围是在二次离子的第一最小强度和第一最大强度之间；在第一半导体层中展示的强度包括二次离子的第二最小强度，其不同于第一最小强度；在从第二半导体层的表面开始的第一预设距离处，第二半导体层展示出第一最小强度和第一最大强度之间的与第二最小强度对应的二次离子的第一中间强度，第一最大强度出现在从第一预设距离开始的第二预设距离处；第二预设距离(W1)对第一预设距离(W2)的比率是在1:0.2到1:1的范围内。
其他摘要	公开了一种半导体器件以及包括该半导体器件的半导体器件封装。该器件包括发光结构，其包括：具有铝的第一半导体层；具有铝的第二半导体层；具有铝并且设置在第一和第二半导体层之间的有源层；在第二半导体层中展示的强度范围是在二次离子的第一最小强度和第一最大强度之间；在第一半导体层中展示的强度包括二次离子的第二最小强度，其不同于第一最小强度；在从第二半导体层的表面开始的第一预设距离处，第二半导体层展示出第一最小强度和第一最大强度之间的与第二最小强度对应的二次离子的第一中间强度，第一最大强度出现在从第一预设距离开始的第二预设距离处；第二预设距离(W1)对第一预设距离(W2)的比率是在1:0.2到1:1的范围内。
申请日期	2017-11-24
专利号	CN108110110A
专利状态	申请中
申请号	CN201711194588.9
公开（公告）号	CN108110110A
IPC 分类号	H01L33/20 \| H01L33/30 \| H01S5/30
专利代理人	张浴月 \| 李玉锁
代理机构	隆天知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/68073
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	LG伊诺特有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	吴炫智,金炳祚,崔洛俊. 半导体器件和包括该半导体器件的半导体器件封装. CN108110110A[P]. 2018-06-01.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN108110110A.PDF（1502KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文